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龙图腾网获悉深圳宏瑞新材料股份有限公司申请的专利一种铁氧体和纳米晶体复合隔磁片的表面复合增强方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121171775B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511699181.6，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种铁氧体和纳米晶体复合隔磁片的表面复合增强方法是由李英顺设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铁氧体和纳米晶体复合隔磁片的表面复合增强方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铁氧体和纳米晶体复合隔磁片的表面复合增强方法，涉及材料加工技术领域，包括：获取表面显微图像、法向磁通密度分布图和红外温升图并配准到统一坐标域；分割缺陷相与实心相并计算窗口绝缘廊道最窄量；据此构建等效表面电阻率，结合工况估算涡轨贴壁势；以双阈裁决生成目标区域，依据几何膨胀反推最小补偿厚度；在目标区域实施原子层沉积等定域增覆，复测达标后放行。通过同域评估与最小化补偿，可抑制涡流热斑，提升耐久与良率，兼顾薄型化及耦合效率。

本发明授权一种铁氧体和纳米晶体复合隔磁片的表面复合增强方法在权利要求书中公布了：1.一种铁氧体和纳米晶体复合隔磁片的表面复合增强方法，其特征在于，包括： S1：获取铁氧体和纳米晶体复合隔磁片上同一区域的表面显微图像、法向磁通密度分布图和红外温升图，通过图像配准建立统一坐标域； S2：在坐标域内对表面显微图像进行缺陷相和实心相分割，在实心相内部计算至缺陷边界的最短双侧距离场并提取距离场脊线，在与电磁回路特征尺度匹配的窗口内取距离场脊线处的最小双侧厚度，记为窗口的绝缘廊道最窄量； S3：依据绝缘廊道最窄量构建等效表面电阻率分布； S4：根据工作频率、法向磁通密度、金属有效参与厚度和等效表面电阻率，得到窗口内单位面积涡流功率密度，按窗口面积积分得到涡轨贴壁势； S5：当绝缘廊道最窄量小于预设的安全断链厚度阈值或涡轨贴壁势大于预设的贴壁势阈值时，生成需要补偿的目标区域掩膜，在目标区域内依据几何膨胀原理反推最小补偿厚度； S6：在目标区域进行定域补偿，使绝缘廊道最窄量大于或等于安全断链厚度阈值，且涡轨贴壁势小于或等于贴壁势阈值； S7：进行复测，确认全域最小绝缘廊道最窄量大于或等于安全断链厚度阈值，且全域最大涡轨贴壁势小于或等于贴壁势阈值，完成表面复合增强。

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