深圳黑晶光电技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳黑晶光电技术有限公司申请的专利一种钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的制备方法及电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121152479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511682372.1，技术领域涉及：H10K39/15；该发明授权一种钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的制备方法及电池是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的制备方法及电池在说明书摘要公布了：本申请提供一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的制备方法及电池，通过非全覆盖绝缘层来阻断自组装单分子层在隧穿层上的吸附，达到非全覆盖空穴传输层的效果，一方面，可以直接切断空穴传输层的横向导电网络，使空穴仅能沿预设的传输通道区纵向迁移，从根源上减少空穴扩散损耗；另一方面，采用绝缘层作为阻断材料，由于其优异的化学惰性和热稳定性，可作为部分“界面屏障”抑制钙钛矿层与SAM层的化学反应，减缓钙钛矿晶体因界面侵蚀导致的分解速率，而且，非全覆盖的设计还能减少SAM分子总用量40%‑55%，传输通道区的SAM分子无密集堆积，避免了传统结构中分子团聚引发的传输通道断裂、缺陷增多等问题。
本发明授权一种钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的制备方法及电池在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供一具有绒面结构的晶硅底电池，依次在其表面制备隧穿层、非全覆盖绝缘层、非全覆盖空穴传输层以及钙钛矿顶电池其他膜层； 所述非全覆盖空穴传输层为自组装单分子层，所述非全覆盖绝缘层沉积于底部绒面结构的低谷区域，然后通过自组装单子分层覆盖绒面结构的高峰区域，从而补全隧穿层未被非全覆盖绝缘层覆盖的区域。
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