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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121152297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511667258.1，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法是由张静;麻胜恒;汪连山;陈福鑫;赵柏聿设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaNHEMTMOSFET单片集成级联器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该器件包括通过金属互连结构实现电学连接的GaNHEMT器件和GaNMOSFET器件；所述GaNMOSFET器件制备在GaNHEMT器件的垂直结构上方，GaNMOSFET器件的投影位置位于所述GaNHEMT器件的栅极和漏极之间；沿着衬底的横向方向分布的不同GaNHEMTMOSFET级联器件之间设置有隔离槽，并通过隔离槽实现不同级联器件间的电气隔离。本发明通过一次性外延生长降低界面缺陷，垂直集成减小芯片面积，提升器件耐压和高频性能，适用于高效功率转换领域。

本发明授权一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMTMOSFET单片集成级联器件，其特征在于，包括制备在同一晶圆上通过金属互连结构实现电学连接的GaNHEMT器件和GaNMOSFET器件；所述GaNMOSFET器件制备在GaNHEMT器件的垂直结构上方，GaNMOSFET器件的投影位置位于所述GaNHEMT器件的栅极和漏极之间；所述GaNHEMT器件的外延结构和GaNMOSFET器件的外延结构之间设置有高阻GaN层作为电性能绝缘层；沿着衬底的横向方向分布的所述GaNHEMTMOSFET单片集成级联器件之间设置有隔离槽，通过隔离槽实现器件间的电气隔离；所述隔离槽深入至GaNHEMT器件的缓冲层一中；具有所述隔离槽的晶圆区域为无源区域，所述无源区域以外的晶圆区域为有源区域；所述GaNHEMTMOSFET单片集成级联器件制备在所述有源区域中； 所述GaNHEMT器件包括衬底和由从下往上依次设置于衬底上的成核层、缓冲层一、沟道层、势垒层和盖帽层构成的GaNHEMT器件的外延结构，设置于盖帽层上方的致密介质层，设置于刻蚀了致密介质层至盖帽层而形成的凹槽中的GaNHEMT器件源极和GaNHEMT器件漏极，设置于盖帽层上方部分区域的GaNHEMT器件栅极；其中，沟道层和势垒层界面处由于极化效应在沟道层中靠近上表面形成二维电子气层； 所述盖帽层上方还具有缓冲层二，缓冲层二上方设置GaNMOSFET器件，所述GaNMOSFET器件包括依次设置于缓冲层二上方的高阻GaN层和P-GaN体区；通过选择性刻蚀部分P-GaN体区并在刻蚀区域继续外延生长的原位重掺杂的两个N+阱区，设置于P-GaN体区和N+阱区上方的致密介质层，分别设置于刻蚀了致密介质层至N+阱区顶部而形成的凹槽中的GaNMOSFET器件源极和GaNMOSFET器件漏极，以及设置于N+阱区之间的致密介质层上方的GaNMOSFET器件栅极； 其中，所述GaNHEMT器件的外延结构和GaNMOSFET器件的外延结构通过一次性外延生长形成垂直堆叠外延层结构。

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