合肥晶合集成电路股份有限公司张璐获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121152288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511689963.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构的制备方法是由张璐;朱鹏飞;高倩倩;邱爽;游奕廷设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：包括：提供衬底；在衬底上依次形成伪栅材料层、位于伪栅材料层上的硬掩膜层、位于硬掩膜层上的牺牲掩膜层；依次刻蚀牺牲掩膜层、硬掩膜层和伪栅材料层，在衬底上形成多个分立的伪栅、位于伪栅上的硬掩膜图形、位于硬掩膜图形上的牺牲掩膜图形，且牺牲掩膜图形顶面存在不平整，衬底的不同区域上的牺牲掩膜图形的高度不同；去除牺牲掩膜图形，保留伪栅和硬掩膜图形；在伪栅的侧壁表面形成侧墙。本申请方法能防止伪栅顶面两端被过刻蚀。
本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上依次形成伪栅材料层、位于所述伪栅材料层上的硬掩膜层、位于所述硬掩膜层上的牺牲掩膜层，所述牺牲掩膜层的材料与所述硬掩膜层的材料不相同； 依次刻蚀所述牺牲掩膜层、所述硬掩膜层和所述伪栅材料层，在所述衬底上形成多个分立的伪栅、位于所述伪栅上的硬掩膜图形、位于所述硬掩膜图形上的牺牲掩膜图形，且所述牺牲掩膜图形顶面存在不平整，所述衬底的不同区域上的所述牺牲掩膜图形的高度不同； 去除所述牺牲掩膜图形，保留所述伪栅和所述硬掩膜图形，其中，所述硬掩膜图形的顶面保持平坦且所述衬底不同区域的所述硬掩膜图形的高度保持一致； 在所述伪栅的侧壁表面形成侧墙。
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