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龙图腾网获悉深圳方正微电子有限公司申请的专利自对准图案化的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121152247B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511692205.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权自对准图案化的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片是由蔡宗叡;樊雨佳;文燕;吕俊源;王志豪设计研发完成，并于2025-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本自对准图案化的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种自对准图案化的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片，通过沟槽刻蚀掩膜定义沟槽区域，在沟槽刻蚀掩膜的覆盖下刻蚀形成深入至N型漂移区的栅极沟槽，并采用自对准图案化工艺利用第一自对准介质层在沟槽底部形成P型屏蔽区，利用第二自对准介质层在栅极沟槽的底部两侧分别形成第一隔离介质层和第二隔离介质层，从而采用自对准介质层同时作为注入掩膜和隔离层，节省多层光刻步骤，不仅提升了P型屏蔽区的对准精度，而且降低了沟槽式栅极底部中央氧化层的电场，减少器件栅极漏电流现象，提升器件的可靠性，同时解决了碳化硅功率器件中高精度掺杂与高温工艺兼容性两大核心难题。

本发明授权自对准图案化的制备方法、沟槽碳化硅器件以及芯片在权利要求书中公布了：1.一种自对准图案化的制备方法，其特征在于，应用于碳化硅功率器件，所述自对准图案化的制备方法包括： 提供碳化硅衬底，在所述碳化硅衬底的正面依次形成缓冲层、N型漂移区、电流扩展材料层、P型掺杂层； 在所述P型掺杂层的预设区域注入N型掺杂离子形成N型掺杂层，并沿所述N型掺杂层的部分区域进行刻蚀形成深入至所述N型漂移区的栅极沟槽，以将所述电流扩展材料层划分为第一电流扩展层和第二电流扩展层，将所述P型掺杂层划分为第一P型阱区和第二P型阱区，将所述N型掺杂层划分为第一N型掺杂区和第二N型掺杂区； 在所述栅极沟槽沉积第一自对准介质材料形成第一自对准介质层，并对所述第一自对准介质层进行选择性刻蚀，以在所述栅极沟槽的底部露出需要注入P型掺杂离子的第一区域； 向所述第一区域注入P型掺杂离子，并在去除所述第一自对准介质层后退火处理，以形成P型屏蔽区； 沉积第二自对准介质材料形成第二自对准介质层，并对所述第二自对准介质层进行选择性刻蚀，以在所述栅极沟槽的底部两侧分别形成第一隔离介质层和第二隔离介质层； 在所述栅极沟槽的底部以及内壁形成栅介质层后在所述栅介质层的凹槽内形成栅极材料层，并在所述栅极材料层上形成场氧化层；其中，所述栅介质层与所述场氧化层形成包裹所述栅极材料层的封闭结构。

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