合肥晶合集成电路股份有限公司李文超获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121126856B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511632272.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件及其制备方法是由李文超;林子荏;张旭;袁晓梅设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件设有第一电压区以及第二电压区，半导体器件的制备方法包括：提供基底，基底包括衬底、隔离结构以及掩膜层，掩膜层内具有第一开口，第一开口位于第一电压区且至少暴露部分衬底；基于第一开口刻蚀衬底，以于第一电压区形成第一栅介质沟槽；至少于第一栅介质沟槽的侧壁以及底部形成保护层；于位于第二电压区的掩膜层内形成第二开口，第二开口至少暴露位于第二电压区的部分衬底；基于第二开口刻蚀衬底，以于第二电压区形成第二栅介质沟槽；去除保护层；于第一栅介质沟槽内形成第一栅介质层，且于第二栅介质沟槽内形成第二栅介质层。本申请可以降低具有不同电压区的半导体器件的制备工艺复杂性。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述半导体器件设有第一电压区以及第二电压区，且所述方法包括： 提供基底，所述基底包括衬底、隔离结构以及掩膜层，所述隔离结构部分位于所述衬底内，且自所述衬底向上凸出，所述掩膜层覆盖所述衬底以及所述隔离结构，且所述掩膜层内具有第一开口，所述第一开口位于所述第一电压区且至少暴露部分所述衬底； 基于所述第一开口刻蚀所述衬底，以于所述第一电压区形成第一栅介质沟槽； 至少于所述第一栅介质沟槽的侧壁以及底部形成保护层； 于位于所述第二电压区的所述掩膜层内形成第二开口，所述第二开口至少暴露位于所述第二电压区的部分所述衬底； 基于所述第二开口刻蚀所述衬底，以于所述第二电压区形成第二栅介质沟槽； 去除所述保护层； 于所述第一栅介质沟槽内形成第一栅介质层，且于所述第二栅介质沟槽内形成第二栅介质层。
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