安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司潘海燕获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121126843B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511632353.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构制备方法及半导体结构是由潘海燕;明玉坤;廖学海;遇鑫遥设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，包括：提供衬底，衬底顶面包括栅介质层；于栅介质层顶面形成层间介电层，层间介电层内包括暴露出栅介质层的部分顶面的凹槽，凹槽底面包括底阻挡层，凹槽侧壁及底阻挡层顶面包括扩散阻挡层；形成覆盖扩散阻挡层的初始钛膜，基于惰性气体生成的等离子体刻蚀并去除位于凹槽底面的初始钛膜；在剩余目标钛膜表面形成目标密度的羟基和氨基；以含磷溶液处理剩余目标钛膜表面，形成包含钛、磷、氧的分子保护膜；在凹槽内，形成覆盖底阻挡层的功函数层后，形成覆盖功函数层及分子保护膜的粘附层；形成填满凹槽的栅导电层。至少能够有效避免出现栅结构填充物缺失的情况。
本发明授权半导体结构制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底顶面包括栅介质层； 于所述栅介质层顶面形成层间介电层，所述层间介电层内包括暴露出所述栅介质层的部分顶面的凹槽，所述凹槽底面包括底阻挡层，所述凹槽侧壁及所述底阻挡层顶面包括扩散阻挡层； 形成覆盖所述扩散阻挡层的初始钛膜，基于惰性气体生成的等离子体刻蚀并去除位于所述凹槽底面的初始钛膜； 以包含氧、氮、氢的目标气体处理剩余目标钛膜，在所述剩余目标钛膜表面形成目标密度的羟基和氨基；所述羟基和氨基用于提供化学锚定位点和反应活性位点； 以含磷溶液处理所述剩余目标钛膜表面，形成包含钛、磷、氧的分子保护膜； 在所述凹槽内，形成覆盖所述底阻挡层的功函数层后，形成覆盖所述功函数层及所述分子保护膜的粘附层； 形成填满所述凹槽的栅导电层。
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