合肥晶合集成电路股份有限公司廖学海获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511632267.7，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体结构及其制备方法、半导体器件是由廖学海;明玉坤;邹鹏设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：提提衬底；以及位于衬底的第一表面上沿平行于第一表面的第一方向交替排列的层间介质层、栅沟槽；栅沟槽内包括沿背离衬底的第二方向依次排列的介质叠层、目标功函数层、保护层、阻挡层及金属导电层；其中，介质叠层位于栅沟槽的内表面上；目标功函数层的纵截面呈凹字型，顶面低于栅沟槽开口所在平面；保护层位于目标功函数层的上表面及介质叠层的内壁上，顶面与阻挡层、金属导电层及层间介质层的顶面齐平。上述结构中，保证功函数层表面和侧壁都有保护层保护功函数层，不会直接裸露在栅极表面，故后续制程的WetHF不会伤害底部功函数层。
本发明授权半导体结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；以及位于所述衬底的第一表面上沿平行于所述第一表面的第一方向交替排列的层间介质层、栅沟槽； 所述栅沟槽内包括沿背离所述衬底的第二方向依次排列的介质叠层、目标功函数层、保护层、阻挡层及金属导电层；其中，所述介质叠层位于所述栅沟槽的内表面上；所述目标功函数层的纵截面呈凹字型，顶面低于所述栅沟槽开口所在平面；所述保护层位于所述目标功函数层的上表面及所述介质叠层的内壁上，顶面与所述阻挡层、所述金属导电层及所述层间介质层的顶面齐平；所述保护层完整包裹所述目标功函数的表面和侧壁；所述保护层材料包括金属氮化层，与所述介质叠层的材料部分相同； 其中，所述保护层、所述金属导电层在所述目标功函数层形成后，采用沉积工艺依次形成。
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