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龙图腾网获悉广东芯粤能半导体有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099640B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511631108.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由朱普磊;杨文敏;杨先啓;陈骁;胥翥;杨俊设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，并于衬底的顶面依次形成外延层及有源层；于有源层内形成沿平行衬底方向排布的第一阱区及第二阱区；形成第一源极及第二源极，第一源极位于第一阱区内，第二源极位于第二阱区内；形成位于有源层内的目标掺杂区，目标掺杂区还位于第一阱区及第二阱区之间；于目标掺杂区的顶面形成栅极结构，栅极结构的宽度大于第一阱区与第二阱区相对侧壁之间的间距、小于第一源极与第二源极相对侧壁之间的间距。上述半导体结构的制备方法工艺流程简单，在不增加工艺成本以及不大幅影响器件的导通性能的同时，能够提高半导体器件的短路耐受时间，从而提高半导体器件的鲁棒性。

本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，并于所述衬底的顶面依次形成外延层及有源层； 于所述有源层内形成沿平行所述衬底方向排布的第一阱区及第二阱区； 形成第一掺杂区及第二掺杂区； 形成第一源极及第二源极；所述第一源极位于所述第一阱区内，所述第二源极位于第二阱区内； 形成位于所述有源层内的目标掺杂区，所述目标掺杂区还位于所述第一阱区及所述第二阱区之间； 形成位于所述目标掺杂区两侧的第一源极接触层及第二源极接触层，所述第一源极接触层位于所述第一阱区内，所述第二源极接触层位于所述第二阱区内； 于所述目标掺杂区的顶面形成栅极结构，所述栅极结构的宽度大于所述第一阱区与所述第二阱区相对侧壁之间的间距、小于所述第一源极与所述第二源极相对侧壁之间的间距； 其中，所述第一掺杂区位于所述第一阱区内、且位于所述第一源极靠近所述目标掺杂区的一侧，所述第二掺杂区位于所述第二阱区内、且位于所述第二源极靠近所述目标掺杂区的一侧；所述目标掺杂区与所述第一源极接触层及所述第二源极接触层采用一次性注入工艺形成； 所述形成位于所述有源层内的目标掺杂区，包括： 形成第三掩膜层，所述第三掩膜层内具有开口图形，所述开口图形的宽度等于所述第一阱区与所述第二阱区相对侧壁之间的间距； 于所述开口图形的侧壁形成第二侧墙结构； 基于所述第三掩膜层及所述第二侧墙结构，形成所述目标掺杂区； 所述形成位于所述有源层内的目标掺杂区，及所述形成位于所述目标掺杂区两侧的第一源极接触层及第二源极接触层，包括： 基于所述第三掩膜层及所述第二侧墙结构，形成沿平行所述衬底方向依次排布的所述第一源极接触层、所述目标掺杂区及所述第二源极接触层； 其中，所述目标掺杂区的掺杂类型为P型离子高浓度注入膜层；第一掺杂区及或第二掺杂区为N型离子浅浓度注入膜层。

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