合肥晶合集成电路股份有限公司廖学海获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121078782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511632337.9，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体结构及其制备方法、半导体器件是由廖学海;明玉坤;邹鹏设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：衬底，衬底的第一表面上包括沿平行于第一表面的第一方向交替排列的层间介质层及金属栅；金属栅包括：介质叠层，沿朝向衬底的方向贯穿层间介质层；功函数叠层，向介质叠层内延伸，且其底面在第一表面的正投影位于介质叠层的底面之内；功函数叠层包括沿背离衬底的第二方向依次排列的功函数层及保护层；阻挡层，沿朝向衬底的方向贯穿保护层并延伸至功函数层内，且其底面在第一表面的正投影位于功函数层的底面之内；金属导电层，经由金属栅的顶面向阻挡层内延伸。能够保证功函数层表面和侧壁都有保护层保护功函数层，不会直接裸露在栅极表面，故后续制程的WetHF不会伤害底部功函数层。
本发明授权半导体结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的第一表面上包括沿平行于所述第一表面的第一方向交替排列的层间介质层及金属栅；所述金属栅包括： 介质叠层，经由所述金属栅的顶面，沿朝向所述衬底的方向贯穿所述层间介质层； 功函数叠层，经由所述金属栅的顶面，向所述介质叠层内延伸，且其底面在所述第一表面的正投影位于所述介质叠层的底面之内；所述功函数叠层包括沿背离所述衬底的第二方向依次排列的功函数层及保护层；所述保护层包括金属氮化物，与所述介质叠层的材料部分相同； 阻挡层，经由所述金属栅的顶面，沿朝向所述衬底的方向贯穿所述保护层并延伸至所述功函数层内，且其底面在所述第一表面的正投影位于所述功函数层的底面之内； 金属导电层，经由所述金属栅的顶面向所述阻挡层内延伸； 所述金属导电层、所述阻挡层先于所述保护层形成。
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