杭州富芯半导体有限公司黄守林获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121076048B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511580177.8，技术领域涉及：H10W20/44；该发明授权一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层是由黄守林;曾海;赵国良;徐鸿飞设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层，该半导体芯片包括半导体衬底，半导体衬底上形成有若干器件结构；金属互连层，金属互连层位于半导体衬底上方，用于连接若干器件结构，其中，金属互连层至少包括：位于半导体衬底上方的第一钛层；位于第一钛层上方的第一氮化钛层；位于第一氮化钛层上方的金属层；以及，位于金属层上方的至少两组复合阻挡层；每组复合阻挡层分别包括第二钛层和位于第二钛层上方的第二氮化钛层；每组复合阻挡层中的第二氮化钛层的厚度小于第一预设厚度；各组复合阻挡层中的第二氮化钛层的厚度之和等于或大于第二预设厚度。该半导体芯片在满足厚度需求的同时减少了半导体衬底表面的金属残留缺陷。
本发明授权一种半导体芯片、金属互连层的制备方法及金属互连层在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片，其特征在于，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干器件结构； 金属互连层，所述金属互连层位于所述半导体衬底上方，用于连接若干所述器件结构，其中，所述金属互连层至少包括：位于所述半导体衬底上方的第一钛层； 位于所述第一钛层上方的第一氮化钛层； 位于所述第一氮化钛层上方的金属层；以及， 位于所述金属层上方的至少两组复合阻挡层；每组所述复合阻挡层分别包括第二钛层和位于所述第二钛层上方的第二氮化钛层；每组所述复合阻挡层中的第二氮化钛层的厚度小于第一预设厚度；各组所述复合阻挡层中的第二氮化钛层的厚度之和等于或大于第二预设厚度；所述第一预设厚度包括900A~1000A；所述第二预设厚度包括1100A~1300A。
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