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龙图腾网获悉青岛赛瑞得伟创电子科技有限公司申请的专利一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121065814B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511328390.X，技术领域涉及：C30B19/10；该发明授权一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备是由张重阳;李召东;商显康;信统钰;高安硕;尹燕彬;杨思强设计研发完成，并于2025-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体为一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备。具体内容如下：对衬底进行预处理，制备出衬底的微观坑槽，根据相图信息，制备均匀溶液；在多区控温外延炉中设定温度梯度，通过舟装置对衬底外延生长进行控制，将衬底和溶液池依次移入炉内；外延生长过程中，对生长的晶格常数误差、形貌、光电性质进行检测，当检测信号偏离预定阈值时，通过调节溶液浓度和温度补偿晶格失配；在移位过程中，对不同层之间残留的母液，通过倾斜衬底倒出衬底的凹槽中。本发明通过实时检测、实时调节晶格失配，解决了晶格失配控制问题，提高了外延层的质量和性能。

本发明授权一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种晶格失配动态调控的液相外延生长方法，其特征在于，包括： S100：对衬底进行高温退火和气相抛光预处理，通过湿法刻蚀在衬底表面形成微坑结构；在惰性气氛保护下，根据目标外延层材料的相图数据确定溶剂与溶质的配比，经高温预熔形成均匀溶液； S200：在多区独立控温的液相外延炉内建立轴向温度梯度，通过可编程滑动舟系统实现衬底与不同组分溶液池的顺序接触； S300：在外延生长过程中，实时监测晶格常数偏差、表面形貌及光电性能参数，当监测信号偏离预设范围时，动态协同调节溶液组分浓度和生长温度以实现晶格失配补偿； S400：在层间切换时，通过倾斜衬底结构使衬底倾斜，利用重力作用将残留母液倒入收集凹槽； 在步骤S300中，实现晶格失配补偿步骤包括： 通过X射线衍射实时监测外延层与基底晶格常数的差值，通过光学显微镜或扫描电子显微镜检测表面粗糙度、生长波纹或位错密度，通过测量载流子浓度、迁移率和发光波长检测光电性能参数； 当晶格常数偏差超过基底晶格常数设定比例时，采用溶液组分浓度与生长温度的协同调节机制，通过高温－高浓度耦合和热力学补偿效应实现晶格失配的动态补偿； 当表面粗糙度超过预设临界值或位错密度异常时，采用分步调节机制先调节温度优化表面迁移率再微调浓度修复晶格畸变； 当载流子迁移率下降超过预设阈值时，暂停生长并执行原位退火处理； 其中，通过高温－高浓度耦合和热力学补偿效应实现晶格失配的动态补偿具体包括： 控制系统以受控速率上调指定加热区的目标温度，使生长区温度按预定升温曲线平稳上升至新的稳态温度，升温过程由闭环温度控制器执行并记录温度曲线； 在温度上调过程中，控制系统开启封闭式微量加料装置向溶液注入预先配制的高浓度溶质溶液，注入由质量流量计计量并由微泵精确控制注入量，注入过程保持惰性气体保护并经密封传输通道完成； 注入后通过炉内低速机械搅拌或石墨舟微振动使溶液迅速混合，控制系统在原位XRD实时反馈下监测晶格偏差的恢复趋势； 当XRD实时信号回到预设范围并在确认时段内保持稳定，控制系统按预定程序先停止注入，再以受控速率将温度恢复到原生长设定并记录全过程参数； 若偏差未恢复，控制系统将暂停生长并保存所有监测数据，提示人工介入。

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