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龙图腾网获悉深圳市南方硅谷半导体股份有限公司申请的专利一种低噪声且高增益带宽积的运放电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121055906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511598691.4，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权一种低噪声且高增益带宽积的运放电路是由曹涛;颜致挺;杜志华;徐志刚设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低噪声且高增益带宽积的运放电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低噪声且高增益带宽积的运放电路，涉及电子电路的技术领域，解决了目前亟需一种低噪声且高增益带宽积的运放电路的技术问题。该电路包括依次连接的输入级、偏置级和输出级；所述输出级为推挽结构，所述偏置级用于为所述输出级提供偏置；所述偏置级与所述输出级之间设置有反馈环路，用于确定所述输出级的电流；所述反馈环路与所述输出级之间设置有相位补偿级，用于给输出级提供相位补偿。本发明不但能够降低电路输出级的噪声，还能够提高运放的增益带宽积。

本发明授权一种低噪声且高增益带宽积的运放电路在权利要求书中公布了：1.一种低噪声且高增益带宽积的运放电路，其特征在于，包括依次连接的输入级、偏置级和输出级；所述偏置级用于为所述输出级提供偏置；所述输出级为推挽结构；所述偏置级与所述输出级之间设置有反馈环路，用于确定所述输出级的电流；所述反馈环路与所述输出级之间设置有相位补偿级，用于给输出级提供相位补偿； 所述偏置级包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3以及MOS管M4；所述MOS管M1的栅极连接所述MOS管M2的栅极；所述MOS管M1的漏极、MOS管M2的漏极均连接所述输出级；所述MOS管M1的源极、MOS管M2的源极均连接参考电压；所述MOS管M3的栅极连接MOS管M4的栅极；所述MOS管M3、MOS管M4的源级连接所述输入级，所述MOS管M3的漏极、MOS管M4的漏极连接均连接所述输出级； 所述偏置级还包括电流源I；所述电流源I的第一端连接所述MOS管M3的源极和所述MOS管M4的源极，第二端接地； 所述反馈环路由一个正相放大器和一个反相放大器组成；所述正相放大器、反相放大器的输出相加后连接到所述MOS管M3的栅极；所述正相放大器、反相放大器输入端均连接所述输出级； 所述输出级包括MOS管M5和MOS管M6；所述MOS管M5的栅极连接所述MOS管M2的漏极、MOS管M4的漏极以及反馈环路中反相放大器的输入端，源极连接参考电压，漏极连接所述运放电路的输出端；所述MOS管M6的栅极连接所述MOS管M1的漏极、MOS管M3的漏极以及反馈环路中正相放大器的输入端，源极接地，漏极连接所述运放电路的输出端。

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