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龙图腾网获悉深圳市美思先端电子有限公司申请的专利一种基于单晶硅和超表面的热电堆传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511570882.X，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种基于单晶硅和超表面的热电堆传感器及其制备方法是由宏宇;武斌设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于单晶硅和超表面的热电堆传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于单晶硅和超表面的热电堆传感器及其制备方法，该制备方法包括对绝缘层上硅晶圆进行清洗及烘干并对顶层单晶硅进行刻蚀形成条带状的热电偶条；在热电偶条的上层沉积二氧化硅层并刻蚀形成互联通孔，沉积第一金属层并填充互联通孔后刻蚀并保留与所述热电偶条互联的部分及位于热电偶区域的部分，在第一金属层上依次沉积钝化层及第二金属层，对第二金属层进行刻蚀形成超表面并对钝化层进行刻蚀形成局部开孔，对绝缘层下硅晶圆进行腔体刻蚀得到具有热电堆悬浮膜结构的热电堆传感器。上述制备方法，通过制备单晶硅热电偶结构提高塞贝克系数、制备超表面结构增加红外吸收效率，在芯片尺寸及工艺复杂度不增加的同时提高探测的输出电压。

本发明授权一种基于单晶硅和超表面的热电堆传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于单晶硅和超表面的热电堆传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 使用清洗溶液对绝缘层上硅晶圆进行清洗及烘干，所述绝缘层上硅晶圆包括依次层叠的硅衬底、介电层及进行元素掺杂的顶层单晶硅； 对位于非热电偶区域的单晶硅进行刻蚀，形成条带状的热电偶条； 在所述热电偶条的上层沉积二氧化硅层，并在所述二氧化硅层中刻蚀形成互联通孔； 在所述二氧化硅层的上层沉积第一金属层并填充所述互联通孔； 对所述第一金属层进行刻蚀，保留所述第一金属层中与所述热电偶条互联的部分及位于热电偶区域的部分，位于热电偶区域的部分作为超表面的底层金属； 在所述第一金属层上沉积一层钝化层并完全覆盖所述第一金属层，并作为超表面的中间介电层； 在所述钝化层上层沉积第二金属层并进行刻蚀，保留所述第二金属层中位于所述第一金属层上方且作为超表面的顶层金属的部分； 对所述钝化层进行刻蚀，以使所述钝化层上形成进行引线键合的局部开孔； 对所述绝缘层上硅晶圆进行腔体刻蚀，以在所述介电层下方的硅衬底刻蚀空腔，得到具有热电堆悬浮膜结构的热电堆传感器。

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