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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511556081.8，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法是由张源涛;左长财;邓高强;杨天鹏;刘宇亮;高浩哲设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法在说明书摘要公布了：一种具有AlGaNInGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该量子阱LED由衬底、成核层、GaN未掺杂层、n型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、p型GaN层、电流扩展层、钝化层和电极组成；多量子阱有源区为周期性的阱层垒层结构，垒层为GaN层，阱层为AlxxGa1‑x1‑xN层和InyyGa1‑y1‑yN层周期性交替的超晶格结构。本发明通过调整阱层超晶格的组分实现与GaN垒层的极化匹配，从而降低阱层中极化电场强度，提升器件发光效率；和传统InGaN阱层相比，阱层超晶格中InGaN发光层的厚度更薄，量子限制斯塔克效应更弱，可进一步提升器件发光波长稳定性。

本发明授权一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有AlGaNInGaN超晶格阱层的量子阱LED，其特征在于：该量子阱LED结构由下至上，依次由衬底1、成核层2、GaN未掺杂层3、n型GaN层4、多量子阱有源区5、电子阻挡层6、p型GaN层7、电流扩展层8组成，在n型GaN层4和电流扩展层8间形成带有侧壁的台阶结构，在n型GaN层4、电流扩展层8和侧壁上制备有钝化层9，在电流扩展层8和n型GaN层4之上的钝化层9中分别开有电极窗口，在电极窗口中分别制备有p型电极10和n型电极10’；多量子阱有源区5为周期性的阱层垒层结构，周期数在2~15之间；其中垒层11为GaN层，厚度为2~15nm；阱层为AlxGa1-xN层12和InyGa1-yN层13周期性交替的超晶格结构，周期数在1~10之间，其中0≤x1,0≤y1；阱层每个周期中，AlxGa1-xN层12的厚度为anm，InyGa1-yN层13的厚度为bnm，0.5≤a≤2,0.5≤b≤2。

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