中科(深圳)无线半导体有限公司麻胜恒获国家专利权
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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种氮化镓功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511574163.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种氮化镓功率器件及其制备方法是由麻胜恒;吴义针;汪连山设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述氮化镓功率器件包括衬底、缓冲层、GaN通道层、AlGaN势垒层、绝缘介质层、源极、漏极和栅极，在AlGaN势垒层上开设有U型凹槽，且铺设绝缘介质层后，该U型凹槽的底部圆弧半径经过优化设计，其值取几何约束条件和电场均匀性约束条件所确定的半径值中的较大者。所述制备方法采用一种场耦合自适应梯度法对刻蚀过程进行迭代优化，通过实时检测刻蚀表面的损伤与粗糙度作为反馈，动态调整刻蚀参数，从而精确地形成所述优化设计的U型凹槽。本发明通过结构优化与制备工艺的协同创新，有效抑制了栅极区域的电场尖峰，提升了器件的击穿电压和可靠性，同时保证了器件制备的高精度和一致性。
本发明授权一种氮化镓功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓功率器件，其特征在于，包括： 衬底； 依次设置在所述衬底上的缓冲层、GaN通道层以及上表面开设有U型凹槽的AlGaN势垒层； 覆盖在所述AlGaN势垒层具有所述U型凹槽的上表面的绝缘介质层； 源极和漏极，分别设置在所述U型凹槽相对两侧的所述AlGaN势垒层； 栅极，设置在所述U型凹槽内并由所述绝缘介质层进行电隔离； 其中，对于铺设所述绝缘介质层后的U型凹槽的底部圆弧半径，其值取满足弦长半 径约束条件与满足电场均匀性约束条件中的最大底部圆弧半径值，即： 其中，h表示铺设绝缘介质层后的U型凹槽深度，表示铺设绝缘介质层后的U型凹槽 开口宽度，表示安全系数，表示GaN击穿场强，表示氮化镓功率器件的最大工作 电压，max表示取最大值； 在所述栅极施加导通电压的情况下，在所述GaN通道层形成作为导电通道的2DEG。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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