合肥晶合集成电路股份有限公司韩军建获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利具有MIM电容的半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511564465.4，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权具有MIM电容的半导体器件及其制作方法是由韩军建;许春龙;张晓妍设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有MIM电容的半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有MIM电容的半导体器件及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：提供金属间介电层；形成位于该金属间介电层上的中间介质层；在中间介质层及金属间介电层上形成金属层；研磨金属层至其表面平坦并暴露出中间介质层；在距离中间介质层一定距离的位置处，刻蚀金属层，在中间介质层两侧形成MIM电容的上极板和下极板，且将MIM电容区域和非MIM电容区域隔离。本发明形成的具有MIM电容的半导体器件性能好、可靠性高。
本发明授权具有MIM电容的半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有MIM电容的半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供金属间介电层； 形成位于该金属间介电层上的中间介质层； 在中间介质层及金属间介电层上形成金属层； 研磨金属层至其表面平坦并暴露出中间介质层； 在距离中间介质层一定距离的位置处，刻蚀金属层，在中间介质层两侧形成MIM电容的上极板和下极板，且同时将MIM电容区域和非MIM电容区域隔离； 上极板和下极板的形成及非MIM电容区域的隔离步骤包括：形成覆盖研磨后的中间介质层和金属层的第二掩膜层；以该第二掩膜层为掩膜，刻蚀金属层，在中间介质层两侧形成上极板和下极板，并隔离出非MIM电容区域；去除第二掩膜层。
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