合肥晶合集成电路股份有限公司章曦获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利暗电流检测结构及图像传感器的暗电流检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121037555B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511568140.3，技术领域涉及：H04N17/00；该发明授权暗电流检测结构及图像传感器的暗电流检测方法是由章曦;郑晓设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本暗电流检测结构及图像传感器的暗电流检测方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种暗电流检测结构及图像传感器的暗电流检测方法，所述结构包括检测单元和多个并联设置的像素单元；像素单元用于收集暗电流；检测单元包括暗电流放大模块和若干个控制晶体管，控制晶体管的源极与多个像素单元的漏极相连，控制晶体管的漏极为用于储暗电流的电子存储库节点，且电子存储库节点与暗电流放大模块的输入端相连；在进行暗电流检测的过程中，像素单元将收集的暗电流传输至控制晶体管，电子存储库节点存储或输出暗电流，暗电流放大模块对电子存储库节点输出的暗电流进行放大，且暗电流放大模块的输出端输出放大后的暗电流。本申请实现了针对图像传感器的暗电流检测，提高了暗电流检测结构的工作动态范围和稳定性。
本发明授权暗电流检测结构及图像传感器的暗电流检测方法在权利要求书中公布了：1.一种暗电流检测结构，用于检测图像传感器是否存在暗电流，其特征在于，包括： 多个并联设置的像素单元，所述像素单元用于收集暗电流； 检测单元，包括暗电流放大模块和若干个控制晶体管，其中，所述控制晶体管的源极与多个所述像素单元的漏极相连，所述控制晶体管的漏极为用于存储暗电流的电子存储库节点，且所述电子存储库节点与所述暗电流放大模块的输入端相连； 在进行暗电流检测的过程中，所述像素单元将收集的暗电流传输至所述控制晶体管，所述电子存储库节点存储或输出所述暗电流，所述暗电流放大模块对所述电子存储库节点输出的暗电流进行放大，且所述暗电流放大模块的输出端输出放大后的暗电流。
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