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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001471B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511525120.8，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法是由汪连山;麻胜恒;吴义针设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的AlN成核层，该成核层中包含多个气孔以形成光散射结构；依次设置在AlN成核层上的N型GaN层、包含铟组分渐变量子阱的活性层、以及电子阻挡层和P型GaN层。在P型GaN层的侧向边缘设置了边缘终止层，该层通过N离子梯度掺杂，形成逐渐变化的电荷分布，以平滑边缘电场。本发明通过光散射结构和优化的活性层设计显著提高了光输出效率，同时通过创新的边缘终止层结构大幅提升了器件的反向击穿电压和工作可靠性。

本发明授权一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基发光二极管外延结构，其特征在于，包括： 衬底； AlN成核层，设置于所述衬底之上，并且所述AlN成核层中具有多个用于形成光散射结构的气孔； N型GaN层，设置于所述AlN成核层之上； 活性层，设置于所述N型GaN层之上，所述活性层包括多对由InGaN与GaN交替堆叠形成的铟组分渐变量子阱； 电子阻挡层，设置于所述活性层之上； P型GaN层，设置于所述电子阻挡层之上； 边缘终止层，设置于所述P型GaN层的侧向边缘，所述边缘终止层中具有N离子掺杂的浓度梯度，该浓度梯度表现为靠近所述P型GaN层一侧的N离子掺杂浓度大于远离所述P型GaN层一侧的N离子掺杂浓度； 电极，分别与所述N型GaN层和P型GaN层形成欧姆接触； 所述边缘终止层包括完全补偿层和部分补偿层；所述完全补偿层中掺杂N离子，平衡P型和N型掺杂物的浓度，使得所述完全补偿层中净电荷为零；所述部分补偿层中靠近所述P型GaN层一侧的N离子掺杂浓度大于远离所述P型GaN层一侧的N离子掺杂浓度，在所述部分补偿层中形成逐渐变化的电荷分布； 所述部分补偿层中各个位置的N离子掺杂浓度具体为： 其中，Nx表示当前位置的N离子掺杂浓度，N0表示初始掺杂浓度，e表示自然常数，α表示衰减因子，x表示当前位置与P型GaN层的距离； 所述部分补偿层包括沿远离所述P型GaN层的方向依次设置的第一区域、第二区域以及第三区域，且该第一区域、第二区域以及第三区域的N离子掺杂浓度依次减小。

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