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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利背接触太阳能电池、其制备方法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511498816.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权背接触太阳能电池、其制备方法和光伏组件是由刘鑫;张彼克;金井升设计研发完成，并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触太阳能电池、其制备方法和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种背接触太阳能电池、其制备方法和光伏组件，该方法包括：提供衬底，衬底包括相对的正面和背面，背面包括第一区和非第一区；在衬底的背面上依次叠置第一掺杂导电层和第一掩膜层，并通过激光去除非第一区对应的第一掩膜层；至少去除非第一区对应的第一掺杂导电层，剩余的第一掺杂导电层形成第一发射极；在剩余的第一掩膜层远离第一发射极的一侧和非第一区上依次叠置第二掺杂导电层和第二掩膜层，第一掩膜层和第二掩膜层的材料独立地包括非晶硅、纳米晶硅和碳化硅中至少之一；通过激光至少去除第一区对应的第二掩膜层；至少去除第一区对应的第二掺杂导电层，剩余的第二掺杂导电层形成第二发射极。

本发明授权背接触太阳能电池、其制备方法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相对的正面和背面，所述背面包括第一区和非第一区； 在所述衬底的背面上依次叠置第一掺杂导电层和第一掩膜层，并通过激光去除所述非第一区对应的所述第一掩膜层； 至少去除所述非第一区对应的所述第一掺杂导电层，剩余的所述第一掺杂导电层形成第一发射极； 在剩余的所述第一掩膜层远离所述第一发射极的一侧和所述非第一区上依次叠置第二掺杂导电层和第二掩膜层，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的材料独立地包括非晶硅、纳米晶硅和碳化硅中至少之一； 通过激光至少去除所述第一区对应的所述第二掩膜层； 至少去除所述第一区对应的所述第二掺杂导电层，剩余的所述第二掺杂导电层形成第二发射极， 在所述衬底的背面上依次叠置第一掺杂导电层和第一掩膜层，包括： 在所述衬底的背面上形成所述第一掺杂导电层； 在所述第一掺杂导电层远离所述衬底的一侧形成第一硅酸盐玻璃层； 在所述第一硅酸盐玻璃层远离所述第一掺杂导电层的一侧形成第一缓冲层，所述第一缓冲层包括非晶硅层、纳米晶硅层和碳化硅层中至少之一。

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