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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001393B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511511971.7，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件是由贾涛;林政纬;林子荏;杨智强;李文超设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体器件技术领域，可以降低共享接触孔内的断路风险。方法包括：提供半导体初始结构，包括绝缘层以及间隔设置的栅极初始结构，绝缘层包括第一绝缘结构和第二绝缘结构，第一绝缘结构位于栅极初始结构的周侧，第二绝缘结构位于两个第一绝缘结构之间，第一绝缘结构之间具有第一开口；于栅极初始结构一侧形成蚀刻停止层；于第二绝缘结构一侧形成第一介质层；根据第一介质层，去除蚀刻停止层和部分第一绝缘结构，使得第一绝缘结构之间具有第二开口，第一开口的开口尺寸小于第二开口；于第一介质层一侧及栅极初始结构一侧形成第二介质层；去除部分第一介质层和第二介质层，得到共享接触孔。

本发明授权一种半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体初始结构，其中，所述半导体初始结构包括半导体衬底、绝缘层以及间隔设置的栅极初始结构，所述绝缘层包括第一绝缘结构和第二绝缘结构，所述第一绝缘结构位于所述栅极初始结构的周侧，所述第二绝缘结构位于相邻的两个所述第一绝缘结构之间，所述第一绝缘结构与所述第二绝缘结构相连接，相邻的所述第一绝缘结构之间具有第一开口； 于所述栅极初始结构远离所述半导体衬底的一侧形成蚀刻停止层； 于所述第二绝缘结构远离所述半导体衬底的一侧形成第一介质层；所述第一绝缘结构远离半导体衬底一侧的表面超出第一介质层远离半导体衬底一侧的表面； 以所述第一介质层为掩膜，去除所述蚀刻停止层和部分所述第一绝缘结构，使得处理后的所述第一绝缘结构之间具有第二开口，所述第一开口的开口尺寸小于所述第二开口的开口尺寸； 于所述第一介质层远离所述半导体衬底一侧的表面，以及所述栅极初始结构远离所述半导体衬底一侧的表面形成第二介质层； 去除部分所述第一介质层和所述第二介质层，得到共享接触孔。

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