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龙图腾网获悉湖南汇思光电科技有限公司申请的专利一种面向大功率高速直调量子点激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120989729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511508366.4，技术领域涉及：C30B29/42；该发明授权一种面向大功率高速直调量子点激光器及其制备方法是由杨骏捷;陈思铭;潘淑洁设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种面向大功率高速直调量子点激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明具体公开了一种面向大功率高速直调量子点激光器及其制备方法，将N型GaAs衬底送入MBE腔去除表面的氧化层，在去除表面氧化层的N型GaAs衬底上依次生长N型GaAs接触层，N型AlGaAs限制层，第一无掺杂GaAs波导层，多层量子点有源区，第二无掺杂GaAs波导层，P型AlGaAs限制层，P型GaAs接触层，由此得到面向大功率高速直调量子点激光器。该方法通过精准控制量子点的生长条件以及间隔层厚度来极大提升量子点层数的同时控制量子点有源区的厚度，进而增加量子点的微分增益、载流子注入效率并极大提升量子点激光器的直接调制速率和出光功率。

本发明授权一种面向大功率高速直调量子点激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种面向大功率高速直调量子点激光器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1、将N型GaAs衬底送入MBE腔，利用MBE腔内高温去除N型GaAs衬底表面的氧化层； S2、在去除表面氧化层的N型GaAs衬底上生长N型GaAs接触层； S3、在N型GaAs接触层上生长N型AlGaAs限制层； S4、在N型AlGaAs限制层上外延生长第一无掺杂GaAs波导层； S5、在第一无掺杂GaAs波导层上外延生长多层量子点有源区； S6、在多层量子点有源区上外延生长第二无掺杂GaAs波导层； S7、在第二无掺杂GaAs波导层上生长P型AlGaAs限制层； S8、在P型AlGaAs限制层上生长P型GaAs接触层，从而获得面向大功率高速直调量子点激光器； 所述步骤S5中的多层量子点有源区包括若干层有源区和若干层渐变有源区，S5的具体实现方式为： S51、预设量子点有源区的总生长层数n,有源区的生长层数m、渐变有源区的生长层数n-m； S52、在第一无掺杂GaAs波导层上以固定的量子点生长方式外延生长m层有源区，每层有源区的厚度均为22-28nm； S53、自第m+1层开始，采用梯度调节量子点生长温度、AsIn比例以及P型GaAszP1-z盖层中z的比例的生长方式在m层有源区上逐层外延生长渐变有源区，直到渐变有源区的总生长层数达到n-m层，由此得到总厚度≤350nm的多层量子点有源区。

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