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龙图腾网获悉芯纳百川(无锡)半导体科技有限公司申请的专利一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120989710B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511516792.2，技术领域涉及：C30B25/08；该发明授权一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔是由李毅;孙仲;郑成功设计研发完成，并于2025-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔，涉及石英反应腔技术领域，包括腔室，所述腔室顶部设置有供气座，所述腔室底部设置有排气口，还包括：载具，所述载具包括：基座，所述基座置于腔室内部，所述基座上表面边缘设置有围挡；多个第一挡环，固定连接于所述基座的下表面，并在径向上间隔分布；支撑轴，连接于所述基座的下方，用于支撑和驱动所述基座旋转；浮动调节组件，设置于所述基座与所述支撑轴之间，其稳定性高，扰动小。

本发明授权一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔在权利要求书中公布了：1.一种硅外延生长用的分区温控石英反应腔，包括腔室1，所述腔室1顶部设置有供气座3，所述腔室1底部设置有排气口4，其特征在于，还包括： 载具2，所述载具2包括：基座21，所述基座21置于腔室1内部，所述基座21上表面边缘设置有围挡23；多个第一挡环24，固定连接于所述基座21的下表面，并在径向上间隔分布； 支撑轴25，连接于所述基座21的下方，用于支撑和驱动所述基座21旋转；浮动调节组件22，设置于所述基座21与所述支撑轴25之间；所述第一挡环24的底端与腔室1的内底部表面之间具有第一间隙； 所述腔室1的内底部表面固定连接有多个在径向上间隔分布的第三挡环12，所述第三挡环12的顶端与基座21的底面之间具有第二间隙，所述第一间隙的尺寸等于第二间隙的尺寸；多个所述第一挡环24与多个第三挡环12在径向上呈交错分布；所述载具2还包括第二挡环27，所述第二挡环27固定于所述基座21底部；所述第二挡环27径向位置比任一第一挡环24更靠外，且其长度大于任一第一挡环24； 所述腔室1下方设置有底座5，所述底座5上固定连接有伸缩杆6，所述浮动调节组件22能调节至使基座21相对于支撑轴25的锁紧状态或浮动状态；当所述基座21相对于支撑轴25为浮动状态时，所述伸缩杆6能驱动所述支撑轴25和基座21下移，使所述第二挡环27抵接在腔室1的内底部表面； 所述浮动调节组件22包括： 连接座221，固定连接于支撑轴25上，所述连接座221上固定有支撑柱222； 滑动球座223，滑动套设于支撑柱222上； 弹性件224，设置于滑动球座223与支撑柱222之间； 支撑座225，固定连接于滑动球座223上，所述支撑座225用于支撑连接基座21； 至少两个对称设置的抱紧座227； 铰接臂226，将抱紧座227铰接于连接座221上； 伸缩器228，设置于连接座221上，能驱动至少两个抱紧座227绕铰接臂226进行偏转运动。

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