晶科能源(海宁)有限公司端伟元获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利背接触电池、叠层电池及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957496B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511483246.3，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权背接触电池、叠层电池及光伏组件是由端伟元;夏一;孙玉峰;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触电池、叠层电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本公开涉及光伏领域，提供一种背接触电池、叠层电池及光伏组件，至少可以改善热斑效应，并提高背接触电池的性能。背接触电池包括基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层、第一电极和第二电极。基底包括相对的第一面和第二面，第一面包括沿第一方向交替分布的第一区和第二区；第一掺杂半导体层位于第一区上；第二掺杂半导体层包括第一晶化部和第二晶化部，第一晶化部位于第一区上，并位于第一掺杂半导体层背离基底的一侧，第二晶化部位于第二区上，并与第一晶化部相邻接；其中，第一晶化部的晶化率小于第二晶化部的晶化率，和或，第一晶化部的晶粒尺寸小于第二晶化部的晶粒尺寸。
本发明授权背接触电池、叠层电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括相对的第一面和第二面，所述第一面包括沿第一方向交替分布的第一区和第二区； 第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层位于所述第一区上； 第二掺杂半导体层，所述第二掺杂半导体层内的掺杂元素与所述第一掺杂半导体层内的掺杂元素具有不同的导电类型，所述第二掺杂半导体层包括第一晶化部和第二晶化部，所述第一晶化部位于所述第一区上，并位于所述第一掺杂半导体层背离所述基底的一侧，所述第二晶化部位于所述第二区上，并与所述第一晶化部相邻接；所述第二掺杂半导体层包括多个沿第二方向间隔设置的所述第一晶化部； 其中，所述第一晶化部的晶化率小于所述第二晶化部的晶化率，和或，所述第一晶化部的晶粒尺寸小于所述第二晶化部的晶粒尺寸； 第一电极，所述第一电极位于所述第一区上，并与所述第一掺杂半导体层电连接； 第二电极，所述第二电极位于所述第二区上，并与所述第二晶化部电连接。
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