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龙图腾网获悉深圳市华芯半导体装备技术有限公司申请的专利前端管路的容积校准方法、控制器及气体质量流量验证系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120927107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511457595.8，技术领域涉及：G01F25/10；该发明授权前端管路的容积校准方法、控制器及气体质量流量验证系统是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本前端管路的容积校准方法、控制器及气体质量流量验证系统在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体制造技术领域，具体是涉及一种前端管路的容积校准方法、控制器及气体质量流量验证系统。本申请实施例利用校准罐内目标摩尔的气体扩散至第一管路空间，在第一管路空间处于气体稳定状态下获取校准罐准确的第二容积校验参数，如此，结合校准罐在第四阀门处于关闭状态下的第一容积校验参数、第一容积，计算得到准确且精度高的第一管路空间的目标容积，满足半导体工艺对容积精度的要求，并结合第二管路空间的第二容积及第三管路空间的第三容积，计算出准确且精度高的第四管路空间的第四容积，满足半导体工艺对容积精度的要求。

本发明授权前端管路的容积校准方法、控制器及气体质量流量验证系统在权利要求书中公布了：1.一种前端管路的容积校准方法，应用于气体质量流量验证系统，其特征在于，所述气体质量流量验证系统包括校准系统、校准罐系统及干泵，所述校准系统包括第一阀门、第二阀门及第三阀门，所述校准罐系统包括校准罐与第四阀门，所述第一阀门的输入端用于对接气体输出模块，所述气体输出模块与所述校准系统通信连接，所述第一阀门的输出端与所述第二阀门的输入端连通，所述第二阀门的输出端分别对接所述第三阀门的输入端和所述第四阀门的输入端，所述第三阀门的输出端用于对接所述干泵，所述第四阀门的输出端用于与所述校准罐对接，所述容积校准方法包括： 响应于所述校准罐已被充入目标摩尔的气体，获取所述校准罐在所述第四阀门处于关闭状态下的第一容积校验参数，所述校准罐的容积为已知的第一容积； 响应于第一管路空间进入真空状态，控制所述校准罐的气体仅扩散至所述第一管路空间，所述第一管路空间为第二管路空间、第三管路空间、第四管路空间共同组成，所述第二管路空间为由所述第二阀门、所述第三阀门及所述第四阀门之间形成的管路空间，所述第三管路空间为由所述第一阀门与所述第二阀门之间形成的管路空间，所述第四管路空间为由所述气体输出模块的输出端与所述第一阀门之间形成的管路空间； 响应于所述第一管路空间进入气体稳定状态，获取所述校准罐的第二容积校验参数； 基于所述第一容积校验参数、所述第二容积校验参数及所述第一容积，计算所述第一管路空间的目标容积； 确定所述第二管路空间的第二容积及所述第三管路空间的第三容积； 基于所述目标容积、所述第二容积及所述第三容积确定所述第四管路空间的第四容积。

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