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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916502B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511438908.5，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法是由李晓茜;周洋;王迪;韩根全设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法，采用p++金刚石衬底，依次外延p‑‑金刚石倍增层、n‑‑Ga22O33电荷层、i‑Ga22O33吸收层及n++Ga22O33接触层，形成分离吸收倍增Ⅱ型异质结台面结构；通过ICP刻蚀暴露衬底，并利用BOE湿法腐蚀及氮气退火修复侧壁损伤；最终在顶部与底部分别形成欧姆接触电极。在反向偏压下，异质结内建电场与台面边缘局域电场协同，实现载流子雪崩倍增，可对≤280nm日盲波段实现单光子级探测。金刚石衬底的高热导率显著抑制Ga22O33热积累，提升器件稳定性与寿命。工艺完全兼容MPCVDMOCVD及标准半导体工艺，适用于深紫外弱光成像等领域。

本发明授权金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器，其特征在于，包括从下到上依次层叠的： p+金刚石衬底； 形成于所述p+金刚石衬底上的p-型金刚石倍增层； 形成于所述p-型金刚石倍增层上的n-型Ga2O3电荷层； 形成于所述n-型Ga2O3电荷层上的i型Ga2O3吸收层； 形成于所述i型Ga2O3吸收层上的n+型Ga2O3接触层； 形成于所述n+型Ga2O3接触层上的顶部电极；以及 形成于所述p+金刚石衬底背面上的底部电极； 其中，所述p-型金刚石倍增层与n-型Ga2O3电荷层形成Ⅱ型异质结，所述探测器整体为分离吸收倍增结构，且通过刻蚀形成台面结构； 其中，所述p+金刚石衬底的掺杂浓度为1×1018cm-3-1×1019cm-3；所述p-型金刚石倍增层的掺杂浓度为1×1015cm-3-2×1015cm-3，厚度为200±20nm；所述n-型Ga2O3电荷层的掺杂浓度为3×1017cm-3-5×1017cm-3，厚度为200±20nm；所述i型Ga2O3吸收层的掺杂浓度为1×1015cm-3-2×1015cm-3，厚度为400±20nm；所述n+型Ga2O3接触层的掺杂浓度为1×1019cm-3-2×1019cm-3，厚度为200±20nm。

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