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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利光伏电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511441186.9，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权光伏电池及其制备方法、光伏组件是由谷渊博;张宁;周静;费志良;李超设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本光伏电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种光伏电池及其制备方法、光伏组件。本申请的光伏电池，包括硅衬底、掺杂硅层、复合阻挡层和金属电极；硅衬底具有相对设置的第一表面和第二表面的硅衬底，第一表面包括第一区域和第二区域，第二表面包括第三区域和第四区域；掺杂硅层设置于第一表面和第二表面中的至少一个之上；位于第一区域和或第三区域的掺杂硅层的远离硅衬底的表面上设置有复合阻挡层以及金属电极，金属电极和掺杂硅层电连接；复合阻挡层设置于金属电极和掺杂硅层之间，复合阻挡层的材料包括TiOxx和TiN。本申请的光伏电池能够降低银穿透掺杂硅层的风险，减少漏电，进而能够实现较高的转换效率。

本发明授权光伏电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种光伏电池，其特征在于，包括硅衬底、掺杂硅层、复合阻挡层和金属电极；所述硅衬底具有相对设置的第一表面和第二表面的硅衬底，所述第一表面包括第一区域和第二区域，所述第二表面包括第三区域和第四区域；所述掺杂硅层设置于所述第一表面和所述第二表面中的至少一个之上；位于所述第一区域和或所述第三区域的掺杂硅层的远离所述硅衬底的表面上设置有所述复合阻挡层以及金属电极，所述金属电极和所述掺杂硅层电连接；所述复合阻挡层设置于所述金属电极和所述掺杂硅层之间，所述复合阻挡层的材料包括TiOx和TiN，所述复合阻挡层中，N元素和O元素的原子比为3~7:7； 所述掺杂硅层包括位于所述第一表面上的第一掺杂硅层和位于所述第二表面上的第二掺杂硅层，所述第一掺杂硅层和所述第二掺杂硅层的掺杂类型相反；所述复合阻挡层包括第一复合阻挡层和第二复合阻挡层；所述金属电极包括第一金属电极和第二金属电极； 位于所述第一区域的所述第一掺杂硅层的远离所述硅衬底的表面上依次层叠设置有所述第一复合阻挡层以及所述第一金属电极；位于所述第三区域的所述第二掺杂硅层的远离所述硅衬底的表面上依次层叠设置有所述第二复合阻挡层以及所述第二金属电极。

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