中国科学院上海技术物理研究所杨万丽获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种硒碲化钒材料的制备方法、制备系统、产品和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120866793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511396381.4，技术领域涉及：C23C14/58；该发明授权一种硒碲化钒材料的制备方法、制备系统、产品和应用是由杨万丽;李庆孜;黄田田;吴郅轩;徐佩然;曾颖楠;陈鑫设计研发完成，并于2025-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硒碲化钒材料的制备方法、制备系统、产品和应用在说明书摘要公布了：本发明名称为一种硒碲化钒材料的制备方法、制备系统、产品和应用，属于材料制备技术领域。本发明提供一种制备大面积单层硒碲化钒三元拓扑复合材料的方法，包括以下步骤：S1、在衬底上沉积钒氧化物，得钒氧化物薄膜；S2、在含有惰性气体和氢气的环境中，使步骤S1得到的钒氧化物薄膜与硒源和碲源反应，自然冷却，得硒碲化钒材料。本发明的有益效果：该方法制备的硒碲化钒材料的电阻率更低，电导率更高，在下一代电子、能源和量子器件中展现出独特优势，以实现高性能、低功耗的大面积器件制造。
本发明授权一种硒碲化钒材料的制备方法、制备系统、产品和应用在权利要求书中公布了：1.一种硒碲化钒材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在衬底上沉积钒氧化物，得钒氧化物薄膜； S2、在无水无氧气氛下，使步骤S1得到的钒氧化物薄膜与气态硒源和气态碲源反应，得硒碲化钒材料； 步骤S1中，所述沉积的温度为100-550℃，所述沉积的时间为10min-48h，所述钒氧化物薄膜的厚度为2-100nm； 步骤S2中，所述反应的温度为750-850℃，所述反应的气压为10-300Pa，所述反应的时间为60-90min； 步骤S2中，所述碲源为二甲基碲、二乙基碲、二正丙基碲、二异丙基碲、四甲氧基碲、四乙氧基碲、四异丙氧基碲中的一种或多种； 所述硒源为二甲基硒、二乙基硒、二正丙基硒、二异丙基硒、二正丁基硒、二异丁基硒、二叔丁基硒、二甲基二硒、二乙基二硒、二正丙基二硒、二异丙基二硒、二正丁基二硒、二异丁基二硒、二叔丁基二硒中的一种或多种； 所述硒源的流速为60-80sccm，所述碲源的流速为50-100sccm。
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