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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120824255B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511318587.5，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由黎震宇;张俊龙;吴梦圆;王琛;刘国安设计研发完成，并于2025-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制造方法,制造方法包括：提供基底，基底上设置有介质层；在介质层上形成掩膜层，对掩膜层进行图案化，定义出预定形成第一沟槽的图案，将刻蚀设备设置为第一模式，对介质层进行刻蚀，形成位于介质层内的第一沟槽；将刻蚀设备切换至第二模式，向刻蚀设备的反应腔室通入碳源，在第一沟槽的侧壁和底部沉积形成碳膜层，在碳膜层上形成内凹槽，内凹槽的横向尺寸小于第一沟槽的横向尺寸；将刻蚀设备切至第一模式，以碳膜层为掩膜，刻蚀位于内凹槽底部以下的碳膜层和介质层，形成通孔；去除剩余的碳膜层。在本申请实施例中只需要一次掩膜，一次刻蚀制程便可形成双大马士革结构，简化了生产流程和生产周期，降低生产成本。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供基底，所述基底上设置有介质层； 在所述介质层上形成掩膜层，并利用光刻工艺对所述掩膜层进行图案化，以在所述掩膜层中定义出预定形成第一沟槽的图案； 将刻蚀设备设置为第一模式，以所述图案化后的掩膜层为掩膜，对所述介质层进行刻蚀，形成位于所述介质层内的第一沟槽； 将所述刻蚀设备切换至第二模式，向所述刻蚀设备的反应腔室通入碳源，以在所述第一沟槽的侧壁和底部沉积形成碳膜层，且在所述第一沟槽内的碳膜层上形成内凹槽，所述内凹槽的横向尺寸小于所述第一沟槽的横向尺寸； 将所述刻蚀设备切换至所述第一模式，以所述碳膜层为掩膜，刻蚀位于所述内凹槽底部以下的所述碳膜层和所述介质层，以形成通孔； 去除剩余的所述碳膜层； 其中，将刻蚀设备设置为第一模式或者将所述刻蚀设备切换至所述第一模式，包括：打开所述刻蚀设备的源功率和偏置功率，以将所述刻蚀设备设置为第一模式；所述将所述刻蚀设备切换至第二模式，包括：打开所述刻蚀设备的源功率，关闭所述刻蚀设备的偏置功率，以将所述刻蚀设备设置为第二模式。

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