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龙图腾网获悉山西烁科晶体有限公司申请的专利一种CVD-SiC单晶生长方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120797186B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511299875.0，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种CVD-SiC单晶生长方法及装置是由王国宏;魏汝省;毛开礼;李天;高宇鹏;乔亮设计研发完成，并于2025-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CVD-SiC单晶生长方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种CVD‑SiC单晶生长方法及装置。该方法包括以下步骤：在生长腔体设置籽晶，进行加热，并通入碳源气体以及第三反应腔体提纯后的硅源气体和氢气，进行CVD‑SiC单晶生长；将生长腔体尾气通入第一反应腔体进行过滤吸附；将吸附后的气体通入第二反应腔体，在第二反应腔体内置硅源补充材料，并通入HCl气体，进行歧化反应，生成硅源气体和氢气；将第二反应腔体的气体通入第三反应腔体进行分离提纯，将提纯出的高纯度硅源气体和氢气输入生长腔体继续用于CVD‑SiC单晶生长，将分离出的气体返回第二反应腔体再反应。还涉及一种CVD‑SiC单晶生长装置，应用上述CVD‑SiC单晶生长方法。本发明解决了如何降低CVD‑SiC单晶生长的成本，提高资源利用效率，减少环境污染的技术问题。

本发明授权一种CVD-SiC单晶生长方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种CVD-SiC单晶生长方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 在生长腔体内顶部设置籽晶，对生长腔体进行加热，并通入碳源气体以及第三反应腔体提纯后回流的硅源气体和氢气，以进行CVD-SiC单晶生长； 将生长腔体产生的尾气通入第一反应腔体，利用第一反应腔体内的分离吸附材料对尾气中的杂质进行过滤吸附，所述分离吸附材料采用多级活性炭材料进行多级过滤吸附，所述多级活性炭材料依次采用经活化处理的活性炭层、富氮官能团活性炭层和经活化处理的活性炭层； 将第一反应腔体过滤吸附后的气体通入第二反应腔体，在第二反应腔体内放置高纯度Si颗粒作为硅源补充材料，并通入HCl气体，使过滤吸附后的气体与硅源补充材料发生歧化反应，生成CVD-SiC单晶生长所需硅源气体和氢气； 将第二反应腔体反应后的气体通入第三反应腔体进行分离提纯，将提纯出的高纯度硅源气体和氢气输入生长腔体继续用于CVD-SiC单晶生长，将分离出的气体包括未反应的氯化氢和氯硅烷，返回第二反应腔体再反应。

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