买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种Micro LED的GaN集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730911B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511152060.X，技术领域涉及：H10H29/32；该发明授权一种Micro LED的GaN集成器件及其制备方法是由陈梅芹;麻胜恒;汪连山;陈福鑫;赵柏聿设计研发完成，并于2025-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Micro LED的GaN集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MicroLED的GaN集成器件及其制备方法，包括衬底；配置在所述衬底上的HEMT外延结构，形成电连接的多个HEMT器件，所述多个HEMT器件包括驱动HEMTDT1、参考HEMTDT2以及四个开关HEMTTS1、TS2、TS3和TS4；配置在所述HEMT外延结构之上的LED外延结构，构成LED发光单元，所述LED发光单元的n电极与开关HEMTTS3的漏极和开关HEMTTS4的源极相连；以及配置在所述HEMT外延结构之上的存储电容Cst。所述制备方法包括在同一衬底上依次制作HEMT外延结构和LED外延结构，并制作相应的电极、凹槽电容结构、钝化层和金属互联层。本发明通过集成化设计，实现精确恒流驱动、高速开关和低残影显示，同时简化结构，避免互连损耗，提升系统响应速度和能效，并减小器件体积。

本发明授权一种Micro LED的GaN集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED的GaN集成器件，其特征在于，包括： 一个衬底； 配置在所述衬底上的HEMT外延结构，形成电连接的多个HEMT器件，所述多个HEMT器件包括驱动HEMTDT1、参考HEMTDT2以及四个开关HEMTTS1、TS2、TS3和TS4； 配置在所述HEMT外延结构之上的LED外延结构，构成LED发光单元，所述LED发光单元的n电极与开关HEMTTS3的漏极和开关HEMTTS4的源极相连； 以及配置在所述HEMT外延结构之上的存储电容Cst，所述存储电容由具有凹槽结构的金属-绝缘体-金属电容构成； 其中，所述HEMT外延结构包括依次层叠的缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、P-GaN层和栅介质层，并相应配置源极、漏极和栅极；所述LED外延结构位于所述HEMT外延结构的势垒层上； 所述驱动HEMTDT1通过调节栅极电压Vg控制所述LED发光单元的电流，所述驱动HEMTDT1与LED发光单元串联，其栅极连接所述存储电容Cst、参考HEMTDT2的栅极和开关HEMTTS1的源极；其漏极连接开关HEMTTS3的源极；其源极接地； 所述参考HEMTDT2与所述驱动HEMTDT1构成电流镜结构，所述参考HEMTDT2的栅极连接所述存储电容Cst、驱动HEMTDT1的栅极和开关HEMTTS1的源极；其漏极连接开关HEMTTS2的源极；其源极接地； 所述开关HEMTTS3作为所述LED发光单元的主控开关，直接串联在所述LED发光单元的驱动回路中，当其导通时，所述驱动HEMTDT1根据所述存储电容Cst中的Vg输出恒定电流点亮所述LED发光单元；关断时则切断所述LED发光单元的电流路径，实现快速熄灭； 所述开关HEMTTS4的漏极连接开关HEMTTS1的漏极，在所述LED发光单元关闭阶段立即导通，为LED发光单元的寄生电容提供低阻抗放电通路，快速泄放残留电荷； 所述开关HEMTTS1与开关HEMTTS2的栅极互相连接，构成预充电通路，开关HEMTTS2的源极连接参考HEMTDT2的漏极，在初始化阶段同步导通，用于增强预充电电流路径的驱动能力，加速调节栅极电压Vg的稳定过程； 所述驱动HEMTDT1和参考HEMTDT2的栅宽和栅长之比为100，所述四个开关HEMTTS1、TS2、TS3和TS4的栅宽和栅长之比为10。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中科(深圳)无线半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区南头街道马家龙社区南山大道3838号工业村金栋309；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。