中芯国际集成电路制造(上海)有限公司宋春获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利一种半导体结构、半导体存储器及半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311569935.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种半导体结构、半导体存储器及半导体结构的制备方法是由宋春;刘良设计研发完成，并于2023-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构、半导体存储器及半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构、半导体存储器及半导体结构的制备方法。半导体结构包括由下至上依次层叠的衬底、绝缘层和控制栅层；控制栅层包括沿第一方向间隔设置的浮栅区和擦除栅区，浮栅区与擦除栅区之间填充有遂穿氧化层；第一方向为垂直于衬底的厚度方向的方向；浮栅区包括由下至上设置的浮栅和控制栅；浮栅与擦除栅区之间的遂穿氧化层的厚度大于绝缘层的对应浮栅的区域的厚度，使得擦除操作和写操作时的电子是通过不同的氧化层通道来实现的，且具有较小的擦除电压，进而可以提高半导体结构的可靠性。
本发明授权一种半导体结构、半导体存储器及半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括由下至上依次层叠的衬底、绝缘层和控制栅层； 所述控制栅层包括沿第一方向间隔设置的浮栅区和擦除栅区，所述浮栅区与所述擦除栅区之间填充有遂穿氧化层；所述第一方向为垂直于所述衬底的厚度方向的方向； 所述浮栅区包括由下至上设置的浮栅和控制栅； 所述浮栅与所述擦除栅区之间的遂穿氧化层的厚度大于所述绝缘层的对应所述浮栅的区域的厚度； 所述擦除栅区包括由下至上依次排布连接的第一结构、第二结构和第三结构； 所述第一结构的宽度小于所述第三结构的宽度； 所述第二结构的宽度沿所述排布的方向逐渐增大； 所述浮栅与所述控制栅之间设有层间介质层；所述层间介质层与所述第二结构位于同一平面。
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