安徽格恩半导体有限公司寻飞林获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种氮化镓基半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120016284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510028566.3，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种氮化镓基半导体激光元件是由寻飞林;郑锦坚;黄军;张会康;蓝家彬;蔡鑫;陈婉君;刘紫涵;张江勇;李水清设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓基半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓基半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间设有极化激子晶格层。本发明极化激子晶格层具有空间反演对称性破缺，形成三维拓扑单极子，控制各向异性极化子传播，使费米面上电子空穴含带间嵌套向量，提升极化激子的运动速率，诱导有源层的顶部和底部形成不对称势垒，提升载流子的隧穿几率，增强激光器限制因子、光功率。降低带间跃迁导致的动态电导率，提升空穴在有源层的输运和注入均匀性，抑制非辐射带电激子生成和激子‑电荷的俄歇息复合，增强能带间的级联转换和自旋轨道耦合，增强高能级激子占据数反转，降低激射阀值。
本发明授权一种氮化镓基半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基半导体激光元件，从下至上依次包括衬底100、下限制层101、下波导层102、有源层103、上波导层104、上限制层105，其特征在于，所述上波导层104与上限制层105之间设有极化激子晶格层106； 所述极化激子晶格层106的电子迁移率分布具有函数y＝A+B*tanx曲线分布； 所述极化激子晶格层106的热导率分布具有函数y＝C+D*cotx曲线分布； 所述极化激子晶格层106的禁带宽度分布具有函数y＝ax3+bx2+cx+da＜0,△＝4b2-3ac＜0曲线分布； 所述极化激子晶格层106的介电常数分布具有函数y＝ex3+fx2+gx+he＞0,△＝4f2-3eg＜0曲线分布； 所述极化激子晶格层106的AlC元素比例分布具有函数y＝E+F*xlnx第四象限曲线分布。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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