格科微电子(上海)有限公司黄琨获国家专利权
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龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利一种存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947110B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311459829.3，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权一种存储器及其制备方法是由黄琨;唐霞;彭文冰设计研发完成，并于2023-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种存储器及其制备方法，该存储器包括多个存储单元，每个存储单元包括电荷存储区和位于电荷存储区上的垂直转移晶体管，其中，通过控制垂直转移晶体管的源端、漏端、以及沟道区域的掺杂浓度，使得源端和沟道区域的界面容易发生带带隧穿以实现更低的亚阈值摆幅及更大的开态电流，从而提高读写速度；进一步的，控制漏端和沟道区之间形成包括轻掺杂的且掺杂类型和漏端的掺杂类型相反的轻掺杂浓度区，以降低漏电电流，减少刷新次数、降低功耗。该存储器的制备方法只需简单的掺杂浓度控制即可完成，可与CMOS图像传感器的制作兼容，可降低工艺制作难度。
本发明授权一种存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制备方法，所述存储器包括多个存储单元，每个所述存储单元包括电荷存储区和位于所述电荷存储区上的垂直转移晶体管，其特征在于，所述制备方法包括， 提供衬底，在所述衬底上制备电荷存储区，在所述电荷存储区上制备垂直转移晶体管； 其中，通过控制所述垂直转移晶体管的源端、漏端、以及沟道区域的掺杂浓度使得所述源端和沟道区域的界面容易发生带带隧穿；所述垂直转移晶体管的源端包括重掺杂的第一掺杂类型区，漏端包括重掺杂的第二掺杂类型区，沟道区域包括本征掺杂区、或第一轻掺杂区，其中所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反。
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