买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所申请的专利一种堆叠多晶或类单晶纳米片器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907285B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411940713.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种堆叠多晶或类单晶纳米片器件及其制备方法是由刘金彪;毛淑娟;孙祥烈;高建峰;罗军设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种堆叠多晶或类单晶纳米片器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种堆叠多晶或类单晶纳米片器件及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上形成多层堆叠纳米片结构；通过光刻与刻蚀工艺，定义有源区，并形成栅结构；在栅结构的一侧刻蚀出金属诱导窗口，通过金属诱导多层堆叠非晶纳米片晶化成多晶或类单晶纳米片沟道；在栅结构的另一侧刻蚀出接触孔，并形成第二级硅化物；通过互连通孔工艺，完成堆叠多晶或类单晶纳米片器件的集成。本发明不仅简化了传统外延工艺的复杂性，降低了生产成本，还有效解决了寄生沟道效应的问题，为先进制程节点下高性能晶体管的制造提供了一种切实可行的解决方案。

本发明授权一种堆叠多晶或类单晶纳米片器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠多晶或类单晶纳米片器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在衬底上依次沉积SiO2a-Si叠层、SiO2a-GeSi或SiO2a-Ge叠层，并对a-Si、a-GeSi或a-Ge层进行离子注入和减薄； S2、重复步骤S1，在SiO2a-Si叠层、SiO2a-GeSi或SiO2a-Ge叠层上形成多个堆叠结构； S3、通过光刻与刻蚀工艺定义有源区，沉积Si3N4并进行平坦化处理； S4、刻蚀出栅结构，形成沟道区域的边界，并依次沉积栅介质层和栅电极材料，形成栅结构； S5、在栅结构的一侧刻蚀出金属诱导窗口，并于金属诱导窗口中沉积Ni，经退火处理和酸洗，得到第一级硅化物； S6、对第一级硅化物进行退火处理，使第一级硅化物沿a-Si、a-GeSi或a-Ge纳米片扩散至Si3N4a-Si、Si3N4a-GeSi或Si3N4a-Ge界面，诱导a-Si、a-GeSi或a-Ge结晶成多晶或类单晶； S7、在栅结构的另一侧刻蚀出接触孔，并于金属诱导窗口中沉积Ni，经退火处理和酸洗，得到第二级硅化物； S8、通过互连通孔工艺，完成堆叠多晶或类单晶纳米片器件的集成。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100176 北京市大兴区科创十街18号院11号楼四层401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。