杭州富芯半导体有限公司聂午阳获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411947411.1，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件是由聂午阳设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法包括：提供晶圆，晶圆上形成有含铝的金属层和钝化层，钝化层为依次堆叠在金属层上的多层结构，钝化层包括氧化物介质层；采用与多层结构对应的多组刻蚀气体，刻蚀钝化层，形成暴露部分金属层的开口区域；执行清洗工序，以至少清洗开口区域的副产物；其中，多组刻蚀气体包括用于刻蚀所述氧化物介质层的第一刻蚀气体，第一刻蚀气体包括具有低碳氟比的第一含氟气体和用于去除刻蚀过程中产生的含碳聚合物的第一辅助气体。本申请解决了钝化层刻蚀过程中形成的聚合物缺陷，提高了半导体器件产品的良率。
本发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆上形成有含铝的金属层和钝化层，所述钝化层为依次堆叠在所述金属层上的多层结构，所述钝化层包括氧化物介质层； 采用与所述多层结构对应的多组刻蚀气体，依次刻蚀所述钝化层，形成暴露部分所述金属层的开口区域； 执行清洗工序，以至少清洗所述开口区域的副产物； 其中，所述多组刻蚀气体包括用于刻蚀所述氧化物介质层的第一刻蚀气体，所述第一刻蚀气体包括具有低碳氟比的第一含氟气体和第一辅助气体，所述第一辅助气体用于去除刻蚀过程中产生的含碳聚合物；所述低碳氟比的第一含氟气体中的任一气体均满足碳原子数为1，且碳氟比小于或者等于1；所述第一含氟气体与所述第一辅助气体的气体流量之比小于4；所述第一刻蚀气体还包括第二辅助气体，用于硬化所述钝化层上形成的光刻胶层；所述第二辅助气体与所述第一辅助气体的气体流量比为1～2：19～21。
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