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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种刻蚀方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890039B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411889860.5，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权一种刻蚀方法及半导体器件是由刘京;司卫民;张坤设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种刻蚀方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种刻蚀方法及半导体器件，包括提供待刻蚀结构；待刻蚀结构包括半导体结构、位于半导体结构表面的硬掩膜层、位于硬掩膜层上的抗反射层和位于抗反射层上的图案化光刻胶层，图案化光刻胶层具有第一窗口；在第一窗口对应的区域对抗反射层进行刻蚀，形成第二窗口，得到图案化抗反射层；在抗反射层的刻蚀过程中采用的刻蚀气体包括含氟气体，含氟气体在刻蚀气体中的质量占比为1:5～1:8；去除图案化光刻胶层。本申请采用具有含氟气体的刻蚀气体，能够降低硬掩膜层的非期望损耗，从而降低以硬掩膜层材料作为反应物之一的多聚物副产物的生成量，便于多聚物副产物在去除图案化光刻胶层的过程中被同步去除。

本发明授权一种刻蚀方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀结构；所述待刻蚀结构包括半导体结构、位于所述半导体结构表面的硬掩膜层、位于所述硬掩膜层上的抗反射层和位于所述抗反射层上的图案化光刻胶层，所述图案化光刻胶层具有第一窗口； 在所述第一窗口对应的区域对所述抗反射层进行刻蚀，形成第二窗口，得到图案化抗反射层；在所述抗反射层的刻蚀过程中采用的刻蚀气体包括含氟气体，所述含氟气体在所述刻蚀气体中的质量占比为1:5～1:8；在刻蚀过程中采用的温度条件为渐变式变化的静电吸附温度，能够增加刻蚀过程中已经产生的多聚物副产物的活性，在预设时间内升温至目标静电吸附温度，或者在单段预设时间升温至目标静电吸附温度后维持温度稳定，或者存在多段预设时间，每段预设时间的目标静电吸附温度相同或不同； 通过具有四氟化碳的清洗剂去除所述图案化光刻胶层；四氟化碳能够电离出氟离子，与所述图案化光刻胶层中的氢离子发生反应生成氢氟酸，氢氟酸能够与多聚物副产物发生反应，破坏所述图案化光刻胶层侧壁上附着的多聚物副产物硬壳。

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