日东电工株式会社高永幸佑获国家专利权
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龙图腾网获悉日东电工株式会社申请的专利偏光膜、偏光板、及该偏光膜的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119861444B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510108354.6，技术领域涉及：G02B5/30；该发明授权偏光膜、偏光板、及该偏光膜的制造方法是由高永幸佑;滨本大介;上条卓史设计研发完成，并于2020-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本偏光膜、偏光板、及该偏光膜的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种沿吸收轴方向的断裂得以抑制的偏光膜。本发明的偏光膜由包含二色性物质的聚乙烯醇系树脂薄膜构成，且取向函数为0.30以下。在1个实施方式中，偏光膜的厚度为8μm以下。本发明的偏光板具有：上述的偏光膜、和配置于偏光膜的至少一侧的保护层。
本发明授权偏光膜、偏光板、及该偏光膜的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种偏光膜，其由包含二色性物质的聚乙烯醇系树脂薄膜构成， 所述聚乙烯醇系树脂薄膜所含的聚乙烯醇系树脂的平均聚合度为4200以上， 单体透射率为40.0％以上，并且偏光度为99.0％以上， 取向函数为0.05以上且0.25以下， 所述取向函数是使用傅立叶变换红外光谱仪，将偏光作为测定光，在使所述偏光膜的拉伸方向相对于所述测定光的偏光方向为平行及垂直的状态下实施衰减全反射分光测定，使用得到的吸光度光谱的2941cm-1的强度，通过下述式1来算出： 式1f＝3cos2θ-12 ＝1-D[c2D+1] ＝-2×1-D2D+1 式1中，θ表示分子链相对于所述拉伸方向的角度；c表示3cos2β-12；β表示相对于分子链轴的跃迁偶极矩的角度，2941cm-1的振动的情况下，β为90°；D表示I⊥I；I是得到的吸光度光谱中相对于以3330cm-1为参照峰的吸收强度的2941cm-1的吸收强度，表示2941cm-1的强度3330cm-1的强度的值；I⊥表示相对于所述测定光的偏光方向垂直配置所述偏光膜的拉伸方向时的所述I，I表示相对于所述测定光的偏光方向平行配置所述偏光膜的拉伸方向时的所述I。
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