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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种利用纳米线阵列制备的可寻址纳米电极及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119861118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510016920.0，技术领域涉及：G01N27/26；该发明授权一种利用纳米线阵列制备的可寻址纳米电极及其方法是由耿延泉;赵海楠;闫永达;王继强设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用纳米线阵列制备的可寻址纳米电极及其方法在说明书摘要公布了：一种利用纳米线阵列制备的可寻址纳米电极及其方法，属于纳米电极技术领域。基底上有纳米线阵列、金属引线、金属垫及铜丝，纳米线阵列与基底平齐，纳米线阵列与金属引线连接，金属引线与金属垫连接，金属垫与铜丝连接，铜丝伸出至基底外侧；纳米线阵列、金属引线、金属垫及铜丝上有树脂层。方法如下：基底制备；纳米线阵列加工；金属引线及金属垫加工；可寻址纳米电极加工；电化学性能测试。本发明可以重复高效地制备具有高一致性的纳米线阵列，加工的纳米线阵列具有超长尺寸且尺寸间距可控，较易转移和定位，便于后续封装。简单、高效、低成本制备可寻址纳米电极，实现可寻址纳米电极多领域应用。

本发明授权一种利用纳米线阵列制备的可寻址纳米电极及其方法在权利要求书中公布了：1.一种利用纳米线阵列制备可寻址纳米电极的方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤： S1：基底1制备； 所述S1包括如下步骤： S101：选取上表面带有SiO2层的单晶硅片； S102：将单晶硅片切割成矩形； S103：将矩形的单晶硅片依次经过无水乙醇-丙酮-无水乙醇-超纯水分别超声波清洗； S104：使用高纯空气将S103所得的矩形单晶硅片吹干； S105：对S104所得的矩形的单晶硅片进行氧等离子体处理，得到表面亲水化的基底1； S2：纳米线阵列2加工； 所述S2包括如下步骤： S201：使质量比为10：1的PDMS与固化剂搅拌后置于真空干燥器中进行脱气泡处理； S202：在具有微米级阵列沟槽的硅模板上浇注S201得到的PDMS后固化，获得含微米级阵列沟槽的PDMS模具； S203：使质量比为25：3的树脂与固化剂搅拌后置于真空干燥器中进行脱气泡处理； S204：在PDMS模具表面浇筑树脂后固化，获得含微米级阵列沟槽的树脂块； S205：在树脂块表面镀金膜； S206：对镀有金膜的树脂块进行裁剪后置于硅胶包埋模具内并注入树脂后固化，得到长方体的包埋块； S207：对包埋块进行纳米切片获得纳米线阵列2； 所述S207包括如下步骤： S20701：将包埋块旋转后对包埋块底部进行修块抛光至暴露出金膜底端面； S20702：将包埋块修整成底部为正方形的矩形体； S20703：对包埋块底部的金膜底端面进行切片，获得包含纳米线阵列的树脂薄片，即纳米线阵列2； S3：金属引线3及金属垫4加工； 所述S3包括如下步骤： S301：在基底1上先以500rmin的速度旋涂光刻胶5s，再以4000rmin的速度旋涂光刻胶120s； S302：对S301所得过程件进行前烘-曝光-后烘-显影； S303：非曝光区域的光刻胶溶解脱落； S304：在基底1上沉积金层； S305：将S304所得过程件应用氧等离子体刻蚀的方法去除其余的光刻胶，制备所需的金属引线3及金属垫4； S4：可寻址纳米电极加工； 所述S4包括如下步骤： S401：将纳米线阵列2转移至亲水处理后的基底1表面，并调节纳米线阵列2与金属引线3完成对准搭接； S402：在每个金属垫4的中心分别搭接对应的铜丝5； S403：将S402所得过程件置于硅胶包埋模具中，倒入树脂覆盖纳米线阵列2、金属引线3以及金属垫4，固化后得到可寻址纳米电极样品； S404：对可寻址纳米电极样品进行修块抛光处理，对纳米线阵列2未与金属引线3搭接的一端进行修块，直至可寻址纳米电极样品端面与纳米线阵列2的端面平齐，获得可寻址纳米电极； S5：电化学性能测试。

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