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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利用于高纯锗霍尔测试的霍尔电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411965372.8，技术领域涉及：H10N52/01；该发明授权用于高纯锗霍尔测试的霍尔电极的制备方法是由牛晓东;李雅雯;冯骏;郑云;狄聚青;赵青松设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于高纯锗霍尔测试的霍尔电极的制备方法在说明书摘要公布了：一种用于高纯锗霍尔测试的霍尔电极的制备方法包括步骤：单线切割晶体出霍尔样片；氧化铝抛光液倒在光滑石英板上，将霍尔样片双面研磨抛光至消除单线切割形成的划痕，去离子水冲洗、氮气吹干；在霍尔样片中心和边缘分别切割出霍尔样品；霍尔样品清洗处理，体积比HNO33:HF＝2‑4:1的腐蚀液腐蚀，体积比HF:水＝1:1的钝化液浸泡，纯水清洗，高纯氮气吹干；焊接电极：预备高纯铟丝，使电烙铁设置高温在250‑280℃，先点接触铟丝，将铟丝均匀点在霍尔样品的四个角上，使电烙铁设置低温在180‑210℃，通过点四个角上的铟，将四个角依次点焊在霍尔设备电路板上，形成霍尔电极。

本发明授权用于高纯锗霍尔测试的霍尔电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于高纯锗霍尔测试的霍尔电极的制备方法，其特征在于，包括步骤： S1，霍尔样片切割：在高纯锗晶体上选择需要进行霍尔测试的部位，垂直于晶体生长轴方向单线切割晶体出霍尔样片，霍尔样片的厚度为1.0±0.3mm-2.0±0.3mm； S2，霍尔样片表面处理：将切割好的霍尔样片进行表面物理研磨抛光，物理研磨抛光采用氧化铝抛光液倒在光滑石英板上，将霍尔样片双面反复研磨抛光至完全消除霍尔样片的单线切割形成的表面划痕，最后用去离子水冲洗、氮气吹干，霍尔样片厚度误差低于0.1mm，霍尔样片粗糙度低于1μm； S3，霍尔样品制备：在霍尔样片中心和边缘分别切割出霍尔样品，霍尔样品是边长尺寸为10±0.1mm-15±0.1mm的小正方形； S4，霍尔样品清洗处理，包括子步骤： S41，腐蚀：配制体积比HNO3:HF＝2-4:1的腐蚀液，将霍尔样品置于腐蚀液中腐蚀2-4min，至产生比较浓烈的黄烟； S42，钝化：配制体积比HF:水＝1:1的钝化液，将完成腐蚀的霍尔样品从腐蚀液中取出，并迅速放入钝化液中，浸泡5-10min； S43，纯水清洗：将完成钝化的霍尔样品从钝化液中取出，使用纯水冲洗霍尔样品，冲洗时间不小于15min； S44，吹干：最后使用高纯氮气吹干； S5，焊接电极：焊接电极由两子步骤进行； S51，霍尔样品点铟：预备高纯铟丝，使电烙铁设置高温在250-280℃，先点接触铟丝，然后将熔融的铟丝均匀点在霍尔样品的四个角上，控制电烙铁与霍尔样品的接触时间尽可能短； S52，霍尔样品点焊在霍尔设备电路板上：使电烙铁设置低温在180-210℃，通过点霍尔样品的四个角上的铟，利用铟的熔化和重凝固， 将霍尔样品的四个角依次点焊在霍尔设备电路板上，点焊过程要求细致并进行多次，控制每个角避免存在虚焊、空洞，形成霍尔电极。

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