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龙图腾网获悉中国石油大学(华东)申请的专利基于斜入射光反射差技术的表面活性剂吸附行为检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119804346B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510013103.X，技术领域涉及：G01N21/23；该发明授权基于斜入射光反射差技术的表面活性剂吸附行为检测系统是由李代林;桂金林;李明泽;王光迪;杨硕设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于斜入射光反射差技术的表面活性剂吸附行为检测系统在说明书摘要公布了：本发明涉及光电检测技术领域，提供一种基于斜入射光反射差技术的表面活性剂吸附行为检测系统，包括激光器、起偏器、光弹调制器、相移器、第一透镜、样品台、第二透镜、检偏器、光电探测器、第一锁相放大器、第二锁相放大器和计算机；激光器发出探测光，探测光经起偏器变为p偏振光；由光弹调制器调制为p偏振光和s偏振光；p偏振光和s偏振光交替出射，由相移器在p偏振分量和s偏振分量之间产生固定相位差；再经第一透镜聚焦斜入射到样品台上的样品表面；从样品表面反射的激光经过第二透镜后射入检偏器，随后由光电探测器接收并转化为电信号；由计算机记录基频信号和倍频信号。本发明能够对表面活性剂吸附过程和吸附状态等性质进行分析。

本发明授权基于斜入射光反射差技术的表面活性剂吸附行为检测系统在权利要求书中公布了：1.一种基于斜入射光反射差技术的表面活性剂吸附行为检测系统，其特征在于，包括：激光器1、起偏器2、光弹调制器3、相移器4、第一透镜5、样品台6、第二透镜7、检偏器8、光电探测器9、第一锁相放大器10、第二锁相放大器11和计算机12； 所述激光器1采用波长为632.8nm的He-Ne激光器；所述起偏器2和检偏器8为消光比500:1的格兰泰勒棱镜；所述相移器4采用泡克尔盒、半波片或者14波片；所述光电探测器9为光电二极管； 所述光电探测器9分别连接第一锁相放大器10和第二锁相放大器11；所述第一锁相放大器10与第一采集卡信号连接，所述第二锁相放大器11与第二采集卡信号连接；所述第一采集卡、第二采集卡与计算机12信号连接； 所述激光器1发出探测光，探测光经起偏器2变为p偏振光；由光弹调制器3调制为p偏振光和s偏振光； 所述p偏振光和s偏振光交替出射，由相移器4在p偏振分量和s偏振分量之间产生固定相位差；再经第一透镜5聚焦斜入射到样品台6上的样品表面； 从样品表面反射的激光经过第二透镜7后射入检偏器8，随后由光电探测器9接收并转化为电信号； 由第一锁相放大器10测量出基频信号，第二锁相放大器11测出倍频信号，并由计算机12记录基频信号和倍频信号； 所述计算机12根据记录的基频信号和倍频信号，进行表面活性剂吸附行为分析，包括以下过程： 计算得到光电探测器9接收到的光强Iphotodiode： ； 式中，Iphotodiode为光电探测器9接收到的信号；Idc为直流信号；IΩ为基频信号；I2Ω为倍频信号；Ω为调制频率，单位是Hz；t为调制时间，单位是s； 直流信号、基频信号、倍频信号可分别为： ； ； ； 式中，I0为初始入射光强；α为偏振角，单位是rad；J1A为一阶贝塞尔函数，J2A为二阶贝塞尔函数，为p偏振光的表面性质变化后的反射率；Δp-Δs为斜入射光反射差，Im{Δp-Δs}为斜入射光反射差的虚部；Re{Δp-Δs}为斜入射光反射差的实部； 由公式2、公式3、公式4可以得到，斜入射光反射差Δp-Δs的虚部为： ； 斜入射光反射差Δp-Δs的实部为： ； 从公式5、公式6可以看出，斜入射光反射差的虚部信号与所探测到的基频信号成正比，同样，斜入射光反射差的实部信号与接收到的光强的倍频信号成正比； 由菲涅尔公式可知，不同物体对p偏振光、s偏振光的反射率不同，当表面性质改变后，斜入射光反射差Δp-Δs也会不同，其定义式为： ； 式中，为p偏振光的初始状态反射率，为s偏振光的初始状态反射率，为s偏振光的表面性质变化后的反射率； 引入空气-表面活性剂吸附界面层-水体油三层的介质模型来分析OIRD信号，确定空气为介质模型的上层，表面活性剂吸附界面层为介质层，水体或原油为基底层； 介质层的斜入射光反射差Δp-Δs可表示为： ； 式中，λ为入射光波长，单位是nm；为空气层的相对介电常数；为介质层的相对介电常数；为基底层相对介电常数；为介质层厚度，单位是nm；为入射角，单位是rad； 因此，在测得直流信号、基频信号、倍频信号后，便可根据公式5、公式6和公式8计算得出介质层的相对介电常数及厚度d；进而，依据公式8就可以对表面活性剂吸附过程和吸附状态进行分析。

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