京东方华灿光电(苏州)有限公司陈冲获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(苏州)有限公司申请的专利划裂方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411663851.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权划裂方法是由陈冲;陈建南;马玮辰;沙庆伟;刘世轩设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本划裂方法在说明书摘要公布了：提供了一种划裂方法，属于半导体制造领域。该方法包括：在所述发光二极管芯片远离蓝宝石衬底的一面贴附第一蓝膜，所述正装发光二极管芯片的厚度不小于200微米；使用双焦点激光器对所述发光二极管芯片的另一面进行划片处理；在所述划片处理过程中，控制所述双焦点激光器射出的激光的两个焦点在所述发光二极管芯片内的距离为25～30μm，控制所述蓝宝石衬底的非斜裂面的点间距为5～7μm，所述蓝宝石衬底的斜裂面的点间距为9～10μm；控制所述双焦点激光器的参数、所述双焦点激光器的出光角度和所述双焦点激光器的功率，使所述激光照射到所述发光二极管芯片上的线条波动范围为‑2μm至2μm；采用劈刀对划片后的所述发光二极管芯片进行裂片。
本发明授权划裂方法在权利要求书中公布了：1.一种划裂方法，其特征在于，所述方法适用于具有蓝宝石衬底的正装发光二极管芯片，所述方法包括： 在所述发光二极管芯片远离蓝宝石衬底的一面贴附第一蓝膜，所述正装发光二极管芯片的厚度不小于200微米； 使用双焦点激光器对所述发光二极管芯片的另一面进行划片处理；在所述划片处理过程中，控制所述双焦点激光器射出的激光的两个焦点在所述发光二极管芯片内的距离为25～30μm，控制所述蓝宝石衬底的非斜裂面的点间距为5～7μm，所述蓝宝石衬底的斜裂面的点间距为9～10μm；控制所述双焦点激光器的参数、所述双焦点激光器的出光角度和所述双焦点激光器的功率，使所述激光照射到所述发光二极管芯片上的线条波动范围为-2μm至2μm； 采用劈刀对划片后的所述发光二极管芯片进行裂片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(苏州)有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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