山东大学庄昕明获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119757496B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411574286.4，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器及其制备方法是由庄昕明;冯潇;高毓阳;关子涵设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器及其制备方法，属于传感器制备技术领域。器件包括衬底，衬底上设有栅电极，栅电极四周包裹有介电层，介电层上方和一侧侧面设有半导体层，半导体层上方设有源电极和漏电极，源电极在栅电极上方，漏电极在栅电极侧面，漏电极下方为半导体层、衬底，源电极与栅电极之间的半导体层形成耗尽型导电沟道，源电极材料与漏电极材料不相同，源电极形成肖特基接触，漏电极形成欧姆接触，生产成本低廉，绿色环保，可在大气环境下高灵敏度，高稳定性，高寿命。
本发明授权一种基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于有机垂直源栅晶体管二氧化氮传感器，其特征在于，包括衬底，衬底上设有栅电极，栅电极四周包裹有介电层，介电层上方和一侧侧面设有半导体层，半导体层上方设有源电极和漏电极，源电极在栅电极上方，漏电极在栅电极侧面，漏电极下方为半导体层、衬底，源电极与栅电极之间的半导体层形成耗尽型导电沟道，源电极材料与漏电极材料不相同，源电极形成肖特基接触，漏电极形成欧姆接触； 半导体层为可溶性的有机半导体材料与天然高k介电材料混合，天然高k介电材料质量占比为半导体层的1％～10％； 栅电极在纵向上完全重叠覆盖源电极，且栅电极面积大于源电极面积，漏电极与栅电极纵向上完全没有重叠覆盖，漏电极与栅电极在同一水平面，且漏电极在栅电极侧面。
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