星钥(珠海)半导体有限公司刘铭全获国家专利权
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龙图腾网获悉星钥(珠海)半导体有限公司申请的专利一种发光二极管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730512B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411803040.X，技术领域涉及：H10H20/858；该发明授权一种发光二极管结构及其制备方法是由刘铭全设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种发光二极管结构及其制备方法。所述发光二极管结构包括驱动基板、发光二极管、热电制冷器件及包封层。所述发光二极管包括间隔设于所述驱动基板上的多个发光单元；所述热电制冷器件包括导热冷端、第一导热热端、第二导热热端、P型半导体层及N型半导体层；所述导热冷端至少设于至少部分所述发光单元的间隔中；所述P型半导体层和所述N型半导体层间隔设于所述导热冷端和所述驱动基板之间，且分别与导热冷端接触；所述第一导热热端和所述第二导热热端间隔设于所述驱动基板上，并位于所述发光二极管外侧，且所述P型半导体层与所述第一导热热端连接，所述N型半导体层与所述第二导热热端连接；包封层包封发光二极管和热电制冷器件。
本发明授权一种发光二极管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括： 驱动基板； 发光二极管，所述发光二极管包括间隔设于所述驱动基板上的多个发光单元；所述发光二极管为微发光二极管； 热电制冷器件，所述热电制冷器件包括导热冷端、第一导热热端、第二导热热端、P型半导体层及N型半导体层；其中，所述导热冷端至少设于至少部分所述发光单元的间隔中；所述P型半导体层和所述N型半导体层间隔设于所述导热冷端和所述驱动基板之间，且分别与所述导热冷端接触；所述第一导热热端和所述第二导热热端间隔设于所述驱动基板上，并位于所述发光二极管外侧，且所述P型半导体层与所述第一导热热端连接，所述N型半导体层与所述第二导热热端连接；所述导热冷端包覆各所述发光单元的外周；所述导热冷端为遮光材料层； 包封层，包封所述发光二极管和所述热电制冷器件。
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