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龙图腾网获悉大连大学申请的专利一种二氧化碳电化学还原用硫改性的修饰电极及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119710770B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411860437.2，技术领域涉及：C25B11/052；该发明授权一种二氧化碳电化学还原用硫改性的修饰电极及制备方法是由钟和香;胡凯;王琮雅;潘立卫;张晶;宋仁升设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二氧化碳电化学还原用硫改性的修饰电极及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二氧化碳电化学还原用硫修饰的电极及制备方法，涉及硫修饰电极领域，包括：在铜基底的基底层表面通过电化学脉冲沉积、电化学恒电位沉积重构技术，在铜基底上原位沉积生长核壳结构Cu22O‑Cu22S‑CuVCuxxO‑CuxxSCM催化剂。在生长过程中，基底表面脉冲沉积制备得到CuxxS‑CuxxO；然后，利用电化学恒电位结构重构，将催化剂表面层的CuxxO和CuxxS重构且被还原，表面生长Cu22O‑Cu22S‑CuV，形成硫修饰电极。本发明通过脉冲电沉积耦合恒电位沉积重构，制备得到硫改性修饰的电极，该制备方法简单，原料来源广泛，且所研制的电极具有很好的选择性、高催化活性和稳定性，通过结构重构，扩大固、液，气三相界面面积，可使电催化剂具有更多的活性位点和更大的比表面积。

本发明授权一种二氧化碳电化学还原用硫改性的修饰电极及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二氧化碳电化学还原用硫修饰的电极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S1：将铜网、泡沫铜或铜板基底，依次用水、质量浓度为25％的盐酸、乙醇或丙酮浸泡，在超声波清洗机中超声干净，然后清洗、干燥备用； S2：配置碳酸氢盐和硫化钠溶液作为电解液，在磁力搅拌器下搅拌20min充分混合，碳酸氢盐浓度为0.1M～1M；所述硫化钠的浓度为0.3mM～2.0mM； S3：在惰性气体的保护下，采用循环电压脉冲的氧化电位Ea为-0.2V～-0.6V；还原电位Ec为-1.2V～-0.6V； 氧化电位的绝对值设定始终小于还原电位的绝对值； 氧化时间Δta为1～5秒； 还原时间Δtc为2～8秒； 循环次数50～400次；通过该电压脉冲沉积法在基底层表面沉积生长CuxO-CuxS；S4：将步骤S3制备得到的电极在惰性气体的保护下，采用电化学恒电位重构在相同的电解质下，对基底层表面电沉积催化剂进行表面重构；所述恒电位法使用的是恒电压法；所述恒压法中使用的电压设置为-2.0V～-1.0V，沉积时间为800～2000秒； 经过恒电压法使表面铜生成为Cu2O-Cu2S； S5：将S4所制备的电极在冲洗干净，并在真空干燥箱中在40～60℃干燥，制备得到硫修饰电极。

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