中国科学技术大学杨晴获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种Ga-GaAs纳米材料及其制备方法和光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411845074.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种Ga-GaAs纳米材料及其制备方法和光电探测器是由杨晴;李家兴设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Ga-GaAs纳米材料及其制备方法和光电探测器在说明书摘要公布了：本发明提供一种Ga‑GaAs纳米材料及其制备方法和光电探测器，包括：将三二甲胺基镓二聚体C1212H3636Ga22N66和三苯基胂在十八烯中反应，得到Ga‑GaAs纳米材料。该制备方法为一步法，以特定的有机镓源‑三二甲胺基镓二聚体和三苯基胂作为前驱体，通过直接将反应源注入低温液相体系，在十八烯体系中合成了高分散、光电性能优异的类洗耳球结构的Ga‑GaAs纳米材料。在上述反应中，所有反应源一步直接注入反应体系，操作简单，易于合成高质量产物。本发明还成功构筑了具有高响应的Ga‑GaAs纳米材料的可见及近红外光电探测器，器件结构简单，性能优异，稳定性和重复性好，在可见及近红外波段具有极大的应用前景。
本发明授权一种Ga-GaAs纳米材料及其制备方法和光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种Ga-GaAs纳米材料的制备方法，包括以下步骤： 将三二甲胺基镓二聚体C12H36Ga2N6和三苯基胂在十八烯中形成混合液；所述混合液中三苯基胂与十八烯的用量比为0.30mmol:1~3mL；三二甲胺基镓二聚体与十八烯的用量比为0.15mmol:1~3mL； 将所述混合液以0.4~0.5mLmin的速率注入280~320℃的十八烯中反应，得到Ga-GaAs纳米材料；反应的温度为300~330℃，时间为10~30min； 制备混合液采用的十八烯与280~320℃的十八烯的体积比为1~3:7~14； 所述Ga-GaAs纳米材料呈洗耳球状结构，头部为Ga元素单质，尾部为Ga和As两种元素分布。
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