长江存储科技有限责任公司赵向南获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储系统的操作方法、存储器的数据读取方法和存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119649878B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311199368.0，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权存储系统的操作方法、存储器的数据读取方法和存储系统是由赵向南设计研发完成，并于2023-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储系统的操作方法、存储器的数据读取方法和存储系统在说明书摘要公布了：本公开提供存储系统的操作方法、存储器的数据读取方法和存储系统，涉及存储领域，解决了由于存储单元的阈值电压偏移，导致NANDflash存储器的读取重试率增加，读取性能下降的问题。具体方案为：提供一种存储系统的操作方法，该方法包括：首先，根据N个字线的数量N和偏移电压信息，确定N个字线中的选中字线对应的偏移电压值，N个字线为存储器的存储块Block中相邻设置的字线，且与N个字线耦合的K个存储单元中存储有数据，K和N为正整数，偏移电压信息用于指示N对应的偏移电压值。然后，向存储器发送数据读取命令，该数据读取命令用于指示存储器根据偏移电压值产生读取电压，并向选中字线施加读取电压。
本发明授权存储系统的操作方法、存储器的数据读取方法和存储系统在权利要求书中公布了：1.一种存储系统的操作方法，其特征在于，所述存储系统包括存储器，所述存储器的存储块Block中包括G个字线；所述方法包括： 根据所述G个字线中N个字线的数量N和对应的偏移电压信息表，确定所述N个字线中的选中字线对应的偏移电压值；所述N个字线为存储器的存储块Block中相邻设置的字线，且与所述N个字线耦合的K个存储单元中存储有数据，K为正整数，N为大于或等于2的正整数，G为大于或等于N的正整数，所述偏移电压信息表用于指示N对应的所述偏移电压值； 向所述存储器发送数据读取命令，所述数据读取命令用于指示所述存储器根据所述偏移电压值产生读取电压，并向所述选中字线施加所述读取电压。
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