浙江创芯集成电路有限公司史晓明获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311785319.5，技术领域涉及：H10P50/66；该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由史晓明;张言彩;汤帅华设计研发完成，并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成介质层和导电层；在所述导电层上形成图形化的目标掩膜层，所述目标掩膜层的边缘至少暴露部分所述导电层的边缘；基于所述目标掩膜层，去除所述目标掩膜层暴露所述导电层的区域；在所述衬底形成有所述导电层一侧形成钝化层。本申请实施例所提供的半导体结构的形成方法所形成的半导体结构提高了器件的良率。
本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上依次形成介质层和导电层，所述介质层的边缘部分的厚度比所述介质层的中心部分的厚度小，且越靠近边缘处，所述介质层的厚度越小； 在所述导电层上形成图形化的目标掩膜层，所述目标掩膜层的边缘至少暴露部分所述导电层的边缘； 基于所述目标掩膜层，去除所述目标掩膜层暴露所述导电层的区域，边缘预设距离的导电层被去除，其中，所述边缘预设距离大于2mm； 在所述衬底形成有所述导电层一侧形成钝化层，所述钝化层远离所述导电层的一侧的顶部齐平。
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