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龙图腾网获悉上海新昇半导体科技有限公司申请的专利一种减少切割后晶片晶向偏差的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119610433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411787395.4，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权一种减少切割后晶片晶向偏差的方法是由周骁航;马翔;严添悦设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减少切割后晶片晶向偏差的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种减小切割后晶片晶向偏差的方法，通过将线切割机划分为多组，获取不同水平零位目标范围的线切割机切割偏差规律，根据切割偏差规律匹配对应的线切割机对待切割晶棒切割，减小切割后晶片晶向偏差；对于晶片规格≤±0.1°的产品，不良率从3.5％降低至0.5％以下，对于晶片规格≤±0.05°的超高规格产品，良率达到98.5％以上。

本发明授权一种减少切割后晶片晶向偏差的方法在权利要求书中公布了：1.一种减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将线切割机划分为多组，至少一组线切割机的水平零位目标范围大于零度，至少一组线切割机的水平零位目标范围小于零度，至少一组线切割机的水平零位目标范围包含零度，其中，晶棒粘接于粘棒机后晶棒切角相对于初始定位的旋转角度为Φ，水平零位为线切割机在-5°≤Φ≤5°时的X轴切割偏差，X轴切割偏差为X轴切割后晶向与X轴复检晶向之间的差值，X轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片X轴实际晶向，X轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的X轴实际晶向； S2：搜集数据，搜集的数据包括在-90°≤Φ≤90°范围内不同旋转角度区间对应的切割数据，其中，切割数据包括每组线切割机的X轴切割偏差和Y轴切割偏差，Y轴切割偏差为Y轴切割后晶向与Y轴复检晶向之间的差值，Y轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片Y轴实际晶向，Y轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的Y轴实际晶向； S3：以Φ为横坐标，分别以每组线切割机的X轴切割偏差和Y轴切割偏差为纵坐标，建立每组线切割机的X轴切割偏差图和Y轴切割偏差图； S4：提供待切割晶棒，获取待切割晶棒粘接于粘棒机后晶棒切角相对于初始定位的旋转角度Φ'、X轴复检偏差和Y轴复检偏差，判断待切割晶棒的X轴复检偏差和Y轴复检偏差是否在预设范围，若在预设范围，执行下一步，若不在预设范围，则将待切割晶棒从粘棒机脱离，重新粘棒，其中，X轴复检偏差为X轴复检晶向与X轴目标晶向之间的差值，X轴目标晶向为切割后晶片的X轴晶向目标值；Y轴复检偏差为Y轴复检晶向与Y轴目标晶向之间的差值，Y轴目标晶向为切割后晶片的Y轴晶向目标值； S5：根据X轴切割偏差图和Y轴切割偏差图，以匹配在Φ'时X轴切割偏差与待切割晶棒的X轴复检偏差之和位于X轴目标晶向合格范围、Y轴切割偏差与待切割晶棒的Y轴复检偏差之和位于Y轴目标晶向合格范围的线切割机作为目标线切割机。

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