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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利可调控响应温度的聚己内酯形状记忆材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119570017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411774991.9，技术领域涉及：C08G65/28；该发明授权可调控响应温度的聚己内酯形状记忆材料及其制备方法是由张勇健;王明航设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本可调控响应温度的聚己内酯形状记忆材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种可调控响应温度的聚己内酯形状记忆材料及其制备方法，所述方法包括：聚己内酯‑聚2‑乙烯基乙二醇共聚物与多硫醇化合物在光引发剂作用下，通过UV光固化形成交联材料，得到可调控响应温度的聚己内酯形状记忆材料；通过调整聚己内酯‑聚2‑乙烯基乙二醇共聚物中的乙烯基含量、分子量以及结构，调节交联材料的交联密度，从而调节形状记忆材料的响应温度，提升形状记忆聚合物材料的形状记忆性能、机械强度、韧性以及热稳定性。

本发明授权可调控响应温度的聚己内酯形状记忆材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可调控响应温度的聚己内酯形状记忆材料的制备方法，其特征在于，包括：聚己内酯-聚2-乙烯基乙二醇共聚物与多硫醇化合物在光引发剂作用下，通过UV光固化形成交联材料，得到可调控响应温度的聚己内酯形状记忆材料； 通过调整聚己内酯-聚2-乙烯基乙二醇共聚物中的乙烯基含量、分子量以及结构，调节交联材料的交联密度，从而调节形状记忆材料的响应温度； 所述聚己内酯-聚2-乙烯基乙二醇共聚物具有如下通式所示结构： 其中，R1选自氢、C1-C20烷基、苄基、C6-C14芳基、C6-C14氧杂环、C6-C14氮杂环、C6-C14硫杂环、C5-C20氧杂链、C5-C20氮杂链和C5-C20硫杂链中的任意一种； R2、R3和R4选自C1-C20烷基、苄基、C6-C14芳基、C6-C14氧杂环、C6-C14氮杂环、C6-C14硫杂环、C5-C20氧杂链、C5-C20氮杂链和C5-C20硫杂链中的任意一种； m、m1、m2、m3、m4、n、n1n2、n3和n4均为正整数，且m、m1、m2、m3、m4、n、n1n2、n3、n4≥1； 所述聚己内酯-聚2-乙烯基乙二醇共聚物的数均分子量为500～100000，乙烯基含量为0.10～6.40mmolg； 所述多硫醇化合物为四3-巯基丙酸季戊四醇酯、三羟甲基丙烷三3-巯基丙酸酯以及1,4-丁二醇双巯基乙酸酯中的任意一种； 所述光引发剂为2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮。

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